1.高温下基于相场模型的硅基微结构形变机理研究方法，其特征是按如下步骤：一、将样本即硅基微结构材料放入88℃环境中经过90秒使其变软，后将其制成U型圆柱孔状；

二、将硅基微结构材料放入1150℃环境中处理3分钟，得到于不同时间段的硅基微结构形态变化状态；

三、建立高温下硅微基结构的系统模型,系统模型的构建过程：

确定模型体系“初态”，包括环境状态、粒子坐标，在模型中，系统的总自由能根据Cahn-Hilliard model所推导出来的；

G代表的是系统的总自由能；

其中，f(c)所表达的物理意义是化学能量密度， 代表了材料的表面能，系数h是梯度能量系数；变量c代表材料硅原子数量的变化，以下方程(2)是基于Cahn-Hilliard非线性方程并联合质量守恒定律 得到的，因此变量c的表达式为：其中，M表示材料硅原子的移动性,硅原子扩散系数应正比于移动性；变量μ表示变量c的化学势，化学势提供了其演化形变的基本驱动力；

将公式(2)中右侧的项转化成下列形式：

A为常量，μ1代表的是变量μ的线性项， 代表的是变量μ的非线性项；

用Semi-implicit Backwards Differentiation Formula方法来计算动力方程，以解决方程(2)随时间变化所产生的时间和高阶约束特性；为了适应多尺度计算的复杂性，应用无量纲参数tc＝LC2/M0f0,ch2＝h/LC2f0来定义方程(2)中所涉及的时间和尺寸参数，其中，tc代表特征时间，LC代表特征长度，M0代表的是迁移率系数，f0代表的是材料常数；结合公式(3)、无量纲参数以及有限差分法可将方程(2)转化成以下形式：τ为常量；

利用傅里叶变换来推导变量c关于时间和空间的表达式，进而编程运算与仿真分析，

2.如权利要求1所述的高温下基于相场模型的硅基微结构形变机理研究方法，其特征是：硅基微结构材料是抛光6-in(100)n型硅晶片。

3.如权利要求1或2所述的高温下基于相场模型的硅基微结构形变机理研究方法，其特征是：步骤一，将处理过的样本利用离子刻蚀机制造出U型圆柱孔状。

4.如权利要求1所述的高温下基于相场模型的硅基微结构形变机理研究方法，其特征是：步骤三，系统模型包含多种能量和多种动力。

5.如权利要求4所述的高温下基于相场模型的硅基微结构形变机理研究方法，其特征是：所述的能量包括化学能、表面能、热能、电能。

6.如权利要求4所述的高温下基于相场模型的硅基微结构形变机理研究方法，其特征是：所述的动力包括扩散、迁移、粘性、降解。