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专利号: 2016111501046
申请人: 杭州电子科技大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
更新日期:2025-05-17
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.基于激光控制纳米结构硅基表面形态的研究方法,其特征是按如下步骤:一、分别用不同导热率的材料接触纳米结构的硅基板;所述不同导热率的材料选用绝热材料、同种材料、导热材料;所述绝热材料选用石棉、同种材料选用硅、导热材料选用铝;

二、激光照射纳米结构的硅基板表面;

三、观察硅基表面形态,并测量硅基表面凸起的长径比;

四、总结硅基表面形态的变化规律。

2.基于激光控制纳米结构硅基表面形态的研究方法,其特征是按如下步骤:步骤一,用不同导热率的材料接触纳米结构的硅基板四周;所述不同导热率的材料选用绝热材料、同种材料、导热材料;所述绝热材料选用石棉、同种材料选用硅、导热材料选用铝;

步骤二,激光对纳米结构的硅基板进行照射;

步骤三,关闭激光,观察激光照射后的硅基板;

步骤四,测量硅基板的表面形态。

3.如权利要求2所述基于激光控制纳米结构硅基表面形态的研究方法,其特征是:步骤一,用绝热材料、导热材料和绝热材料接触硅基板的左右面,用绝热材料、同种材料、绝热材料去接触硅基板前后面。

4.如权利要求2所述基于激光控制纳米结构硅基表面形态的研究方法,其特征是:步骤二,激光的功率P=75mW,激光照射时间t=10s。

5.如权利要求2所述基于激光控制纳米结构硅基表面形态的研究方法,其特征是:步骤三,硅基表面形态呈现棱锥形。

6.如权利要求2所述基于激光控制纳米结构硅基表面形态的研究方法,其特征是:步骤四,硅基表面最大直径D与最短直径W的比值是0.74,最大高度H=950nm。