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专利号: 2016102303402
申请人: 福建宏讯电子有限公司
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
更新日期:2025-08-18
缴费截止日期: 暂无
联系人

摘要:

权利要求书:

1.一种无刷直流电机驱动系统,其特征是,包括与市电连接变压器,变压器连接AC/DC整流器,所述AC/DC整流器连接稳压器,所述稳压器连接逆变器,所述逆变器连接无刷直流电机,所述逆变器由逆变器控制电路控制;所述稳压器包括MOS管M9、M0、Ma6、M7、M8、Ma1以及Mp,所述MOS管M9、M0、Ma6、M7、M8、Ma1以及Mp的源极接电源VDD,所述MOS管M9的漏极接地,所述MOS管M9的栅极与漏极连接,所述MOS管Ma6的漏极连接MOS管M2的源极,所述MOS管M9的栅极连接MOS管M0的栅极,所述MOS管M0的漏极接MOS管M1的源极,所述MOS管M1的漏极连接MOS管M3的漏极,所述MOS管M3的源极接地;所述MOS管M1的源极连接MOS管M2的源极,所述MOS管M2的漏极连接MOS管M4的漏极,所述MOS管M2的栅极连接参考电压VREF,所述MOS管M4的栅极连接MOS管M3的栅极,所述MOS管M3的栅极连接M3的漏极,所述MOS管M4的源极接地,所述MOS管M4的漏极连接MOS管M5的栅极,所述MOS管M5的源极接地,所述MOS管M7的漏极连接M5的漏极,所述MOS管M7的漏极连接M7的栅极,所述MOS管M7的栅极与MOS管M8的栅极连接,所述MOS管M8的漏极连接MOS管M6的漏极,所述MOS管M6的栅极连接M4的栅极,所述MOS管M6的栅极与漏极之间连接电容CF,所述MOS管M6的源极接地,MOS管Ma4的源极接电源VDD,所述MOS管Ma4的栅极连接Ma6的栅极,所述MOS管Ma4的漏极与栅极短接,所述MOS管Ma4的漏极连接MOS管Ma3的漏极,所述MOS管Ma3的源极接地,所述MOS管Ma1的栅极连接M8的漏极,所述MOS管Ma1的漏极连接MOS管Ma2的漏极,所述MOS管Ma2的漏极与栅极短接,所述MOS管Ma2的源极接地,所述MOS管Mp的栅极连接所述MOS管M8的漏极,所述MOS管Mp的漏极依次通过电阻R1与电阻R2接地,所述MOS管M2的漏极通过电容CM连接Mp的漏极,所述电阻R1与电阻R2之间的节点连接M1的栅极,所述MOS管Mp的漏极接电压输出端。

2.如权利要求1所述的一种无刷直流电机驱动系统,其特征是,所述逆变器控制电路包括:数学模型单元,所述数学模型单元依次通过坐标转换器,磁链自控单元,开关信号选择单元连接逆变器;所述磁链自控单元与开关信号选择单元之间连接有零状态模块,所述坐标转换器依次通过磁链幅值构成单元与磁链调节器连接开关信号选择单元,所述数学模型单元通过转矩调节器连接开关信号选择单元,所述转矩调节器分别连接转速调节器与频率调节器。

3.如权利要求2所述的一种无刷直流电机驱动系统,其特征是,所述转速调节器包括:

与无刷直流电机连接的转速传感器,所述转速传感器所采集的实际转速与设定转速求转速差值,所述转速差值经过微分电路得到转速差值速率,转速差值与转速差值速率分别通过模糊控制单元连接直接转矩控制单元,直接转矩控制单元连接无刷直流电机。

4.如权利要求3所述的一种无刷直流电机驱动系统,其特征是,所述稳压器,逆变器,逆变器控制电路集成在同一个PCB板上。

5.如权利要求3所述的一种无刷直流电机驱动系统,其特征是,所述稳压器集成在第一PCB板上,所述逆变器集成在第二PCB板上,所述逆变器控制电路集成在第三PCB板上。

6.如权利要求4或5所述的一种无刷直流电机驱动系统,其特征是,还包括无刷直流电机控制器,用于设定转速。