1.一种直流有刷电机驱动器，其特征在于，包括：P型MOS管、N型MOS管、P型MOS管控制电路、N型MOS管控制电路、正/反转控制电路、PWM控制电路、保护电路、电源接口、电机接口、控制接口，P型MOS管控制电路主要由PNP三极管、电阻和稳压二极管组成，N型MOS管控制电路主要由NPN三极管、电阻和稳压二极管组成，正/反转控制电路主要由电阻、肖特基二极管、电容组成，PWM控制电路主要由PNP三极管、电阻、电容组成，保护电路主要由保险丝、肖特基二极管、TVS二极管、电容组成，两组主要由P型MOS管和N型MOS管连接的电路组成H桥电路，电机接口与H桥电路上下臂中间处连接，控制接口与正/反转控制电路和PWM控制电路连接；

所述保护电路包括肖特基二极管D8、保险丝F1、电容C3、电容C4以及TVS二极管D7，所述肖特基二极管D8阳极与电源接口连接，所述肖特基二极管D8阴极与保险丝F1一端连接，所述保险丝F1另一端分别与电容C4一端、电容C3一端以及TVS二极管D7阴极连接，所述电源接口另一端分别与电容C4另一端、电容C3另一端、TVS二极管D7阳极以及接地连接；

所述P型MOS管控制电路包括PNP三极管Q1、Q2,电阻R2、R3、R4、R5以及稳压二极管D1，所述PNP三极管Q2基极分别与正/反转控制电路以及电阻R5一端连接，所述PNP三极管Q2发射极分别与电阻R5另一端以及PNP三极管Q1发射极连接，所述PNP三极管Q2集电极分别与电阻R4一端以及PNP三极管Q1基极连接，所述PNP三极管Q1的发射极还与电阻R2一端、稳压二极管D1阴极以及P型MOS管源极连接，所述PNP三极管Q1的集电极分别与电阻R2另一端、电阻R3一端、稳压二极管D1阳极以及P型MOS管栅极连接，所述电阻R3另一端分别与电阻R4另一端以及接地连接，所述P型MOS管漏极与电机接口连接；

所述N型MOS管控制电路包括NPN三极管Q3、Q4，电阻R1、R6、R7、R8、R9以及稳压二极管D2，所述NPN三极管Q4基极分别与正/反转控制电路以及电阻R9一端连接，所述NPN三极管Q4发射极分别与电阻R9另一端以及NPN三极管Q3发射极连接，所述NPN三极管Q4集电极分别与电阻R8一端以及NPN三极管Q3基极连接，所述NPN三极管Q3发射极还与电阻R7一端、稳压二极管D2阳极以及N型MOS管源极连接，所述NPN三极管Q3集电极分别与电阻R7另一端、电阻R6一端、稳压二极管D2阴极以及N型MOS管栅极连接，所述电阻R6另一端分别与电阻R8另一端以及接地连接，所述N型MOS管漏极与电阻R1一端连接，所述电阻R1另一端与电机接口连接；

所述正/反转控制电路包括电容C1，电阻R10、R11，稳压二极管D3以及肖特基二极管D4、D5，所述电容C1一端接地，所述电容C1另一端分别与电阻R10一端以及肖特基二极管D5阴极连接，所述电阻R10另一端与稳压二极管D3阳极连接，所述稳压二极管D3阴极与P型MOS管控制电路连接，所述电阻R11一端与PWM控制电路连接，所述电阻R11另一端分别与肖特基二极管D4、D5阳极连接，所述肖特基二极管D4阴极与N型MOS管控制电路连接，所述肖特基二极管D5阴极与正/反转信号控制接口连接；

所述PWM控制电路包括电容C2，电阻R12、R13，稳压二极管D6以及PNP三极管Q5，所述电容C2一端接地，电容C2另一端分别与PWM信号控制接口以及电阻R12一端连接，所述电阻R12另一端与稳压二极管D6阳极连接，所述稳压二极管D6阴极分别与电阻R13一端以及PNP三极管Q5基极连接，所述PNP三极管Q5发射极与电阻R13另一端连接并接地，所述PNP三极管Q5集电极与正反转电路连接。

2.根据权利要求1所述的直流有刷电机驱动器，其特征是：还设有NTC热敏电阻，NTC热敏电阻串联在P型MOS管和N型MOS管之间。

3.根据权利要求1或2所述的直流有刷电机驱动器，其特征是：所述的电机接口设有正/反转LED指示灯电路。

4.根据权利要求1或2所述的直流有刷电机驱动器，其特征是：所述的肖特基二极管能够用快恢复二极管、超快恢复二极管或整流二极管替换。

5.根据权利要求1或2所述的直流有刷电机驱动器，其特征是：所述的保护电路的保险丝为PTC自恢复保险丝。

6.根据权利要求1或2所述的直流有刷电机驱动器，其特征是：所述的保护电路的保险丝为快断型保险丝。

7.根据权利要求1或2所述的直流有刷电机驱动器，其特征是：所述的正/反转控制电路和PWM控制电路设有光耦隔离电路。