1.一种超薄有机硅膜的制备方法，其特征在于：所述的制备方法为，采用热涂法擦涂低浓度的有机硅溶胶，涂膜之后直接进行快速煅烧，制备出超薄有机硅膜。

2.如权利要求1所述的超薄有机硅膜的制备方法，其特征在于：所述制备方法的具体步骤为，(1)有机硅溶胶的制备

在盐酸的催化作用下，通过有机硅源前驱体的水解聚合反应制备出有机硅聚合溶胶，并将其浓度稀释至0.1～0.5wt％；

(2)将陶瓷支撑体预热至190～210℃后取出，立即将硅锆溶胶擦涂在陶瓷支撑体上，并确保涂擦过程中陶瓷支撑体的温度不低于180℃，涂完后立即进行煅烧，重复此过程3～5次，得到膜的过渡层；

(3)将步骤(2)中煅烧后的陶瓷支撑体取出，冷却至100～200℃后，立即将步骤(1)中得到的有机硅聚合溶胶擦涂在陶瓷支撑体上的过渡层上，并确保涂擦过程中陶瓷支撑体以及过渡层的温度不低于180℃，涂完后立即进行煅烧，重复此过程1～2次，得到超薄有机硅膜。

3.如权利要求2所述的超薄有机硅膜的制备方法，其特征在于：步骤(1)中所述的有机硅源前驱体为1，2-二(三乙氧基硅基)乙烷、1，2-二(三乙氧基硅基)乙烯、1，4-二(三乙氧基硅基)苯、乙基三甲氧基硅烷中的一种或多种。

4.如权利要求2所述的超薄有机硅膜的制备方法，其特征在于：步骤(2)中所述的硅锆溶胶的浓度为0.5wt％，涂擦时采用脱脂棉蘸取硅锆溶胶，按一个方向在陶瓷支撑体上快速擦涂。

5.如权利要求2所述的超薄有机硅膜的制备方法，其特征在于：步骤(2)中，煅烧15～

30min，煅烧温度控制在550℃。

6.如权利要求2所述的超薄有机硅膜的制备方法，其特征在于：步骤(2)中所述的硅锆溶胶是由四甲氧基硅烷Si(OCH3)4)和乙醇锆(Zr(OC2H5)4)通过水解聚合而制成的。

7.如权利要求2所述的超薄有机硅膜的制备方法，其特征在于：步骤(2)中所述的陶瓷支撑体为外管式或片式。

8.如权利要求2所述的超薄有机硅膜的制备方法，其特征在于：步骤(3)中，涂擦时采用脱脂棉蘸取有机硅聚合溶胶，按一个方向在陶瓷支撑体上快速擦涂。

9.如权利要求2所述的超薄有机硅膜的制备方法，其特征在于：步骤(3)中，煅烧15～

30min，煅烧温度控制在100～300℃。