1.一种耐热电子膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将二氧化硅、氟化镱、氧化镁、碳酸钙、氧化锆以及贝壳粉的混合物球磨后再过500目标准筛，制得混合粉末；将混合粉末于800℃烧结1小时；再于1050℃煅烧3小时，将得到的块体球磨2小时后，再过1600目标准筛，得到填料；

(2)将二正己胺、填料混合1小时，再加入N-甲酰吗啉、N,N-二甲基苯胺与碘化钠，混合2小时得到混合物；依次将二异戊二烯二环氧化物、2,6-二(4-氨基苯氧基)苯甲腈加入混合物中，于170℃搅拌5分钟，得到复合物；

(3)将复合物加入挤出机中；然后将表面经电晕处理后的聚酰亚胺薄膜以1m/min的速度经过挤出机，复合物由挤出模头涂覆于处理后的聚酰亚胺薄膜上，制备复合聚酰亚胺薄膜；

(4)复合聚酰亚胺薄膜经过成型处理后得到耐热电子膜；所述成型处理工艺为120℃/

0.5分钟+150℃/0.5分钟+180℃/20秒；

所述氟化镱的质量为二氧化硅、氟化镱、氧化镁、碳酸钙、氧化锆以及贝壳粉总质量的

3.5％；

所述二异戊二烯二环氧化物的化学结构式为：

2.根据权利要求1所述耐热电子膜的制备方法，其特征在于：所述二氧化硅、氟化镱、氧化镁、碳酸钙、氧化锆以及贝壳粉的质量百分数分别为28％、3.5％、18％、37％、8％以及

5.5％。

3.根据权利要求1所述耐热电子膜的制备方法，其特征在于：所述挤出机挤出模头的温度为190～200℃。

4.根据权利要求1所述耐热电子膜的制备方法，其特征在于：所述聚酰亚胺薄膜的厚度为0.2mm；所述耐热电子膜的厚度为0.22mm。

5.根据权利要求1～3任意一项所述的一种耐热电子膜的制备方法制备的耐热电子膜。