1.一种制备氮铝共掺杂p型氧化锌薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：S1. 制备前驱体：以高纯锌作为靶材，在靶面上放置高纯铝片，所述靶材上方放置有衬底，且衬底与靶材间的距离可调，抽真空，然后通入高纯氮气，在衬底温度100~300℃，射频源输入功率80~200W，真空度0.5~1.5Pa的条件下进行射频磁控反应溅射，反应30~60min后将制备得到含铝氮化锌薄膜作为前驱体；

S2. 制备p型氧化锌薄膜：前驱体制备完成后，抽真空，通入高纯氧气对前驱体薄膜进行原位低压氧化，制备得到氮铝共掺杂p型氧化锌薄膜。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在S1所述靶面上放置不同面积的高纯铝片，使铝含量占靶材和靶面总样品量的2~3%。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述衬底与靶材之间的距离为5~7cm。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述S2步骤中的氧化温度为450~550℃，

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氧化压强为10~10Pa，氧化时间为2~3h。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，S1所述输入功率为100~180 W。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，S1所述真空度为 0.5~1.2Pa。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，S1所述反应时间为40~60 min。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，S1所述衬底温度 100~200℃，S1所述抽-4真空的真空度为10 Pa。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述衬底为玻璃片、单晶硅片、石英玻璃或单晶氧化锌。

10.根据权利要求1~9任一项所述的方法，其特征在于，包括如下步骤：S1.制备前驱体：以高纯锌作为靶材，在靶面上放置不同面积的高纯铝片，使铝含量占靶材和靶面总样品量的2~3%，所述靶材上方放置有衬底，且衬底与靶材之间的距离为6cm，-4抽真空10 Pa，然后通入高纯氮气，在衬底温度100~200℃，射频源输入功率120~160W，真空度0.5~1.0Pa的条件下进行射频磁控反应溅射，反应40~60min后将制备得到含铝氮化锌薄膜作为前驱体；

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S2. 制备p型氧化锌薄膜：前驱体制备完成后，抽真空10 Pa，通入高纯氧气，氧化温度

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450~550℃，氧化压强10~10Pa的条件下在对前驱体薄膜进行原位低压氧化2.5h，制备得到氮铝共掺杂p型氧化锌薄膜。