1.一种基于碳纳米管的冷阴极X射线管的制作工艺，其特征在于，所述冷阴极X射线管包括管体，所述管体内设置阴极、阳极和栅极，所述阴极应用碳纳米管制备而成，所述碳纳米管需经过以下处理：将纵向生长于衬底表面的碳纳米管置于稀释的30-40％的HF溶液中浸泡，使纵向生长的碳纳米管的自由端簇聚于一点。

2.根据权利要求1所述的基于碳纳米管的冷阴极X射线管的制作工艺，其特征在于，所述碳纳米管为圆柱形，所述圆柱形的直径为10纳米，所述圆柱形的高度为3-5微米；

所述将纵向生长于衬底表面的碳纳米管置于稀释的30-40％的HF溶液中浸泡，具体为：将纵向生长于衬底表面的碳纳米管置于稀释的35％的HF溶液中浸泡1-2分钟。

3.根据权利要求2所述的基于碳纳米管的冷阴极X射线管的制作工艺，其特征在于，所述将纵向生长于衬底表面的碳纳米管置于稀释的35％的HF溶液中浸泡1-2分钟，具体为：将纵向生长于衬底表面的碳纳米管置于稀释的35％的HF溶液中浸泡1分20秒。

4.根据权利要求1所述的基于碳纳米管的冷阴极X射线管的制作工艺，其特征在于，所述纵向生长于衬底表面的碳纳米管的制备步骤，包括：(1)以重掺杂硅片为衬底，在所述衬底上旋涂一层PMMA胶，得到样品一；

(2)将所述样片一置于60-70℃的温度中烘烤1-3分钟，得到样品二；

(3)在所述样品二的PMMA胶层上旋涂一层UV胶，得到样品三，所述样品三的表面的PMMA胶层和UV胶层的总厚度为100-120nm；

(4)将预先制备的塑料模板贴在所述样品三的UV胶层上，进行纳米压印处理，得到样品四，所述塑料模板的占空比为1:1；

(5)将所述样品四置于紫外光下，曝光30-40秒，剥离所述塑料模板，得到样品五，所述样品五的表面凸起部分的PMMA胶层和UV胶层的总厚度为200-250nm；

(6)将所述样品五置于CVD生长炉内，以乙醇作为提供氢气的载体，使用乙醇裂解的气相沉淀法，使所述衬底上长出纵向生长于衬底表面的碳纳米管。

5.根据权利要求4所述的基于碳纳米管的冷阴极X射线管的制作工艺，其特征在于，所述制备步骤(2)，具体为：将所述样片一置于65℃的温度中烘烤2分钟，得到样品二；

所述样品三的表面的PMMA胶层和UV胶层的总厚度为110nm；

所述制备步骤(5)的曝光时间为35秒。

6.根据权利要求4所述的基于碳纳米管的冷阴极X射线管的制作工艺，其特征在于，所述制备步骤(5)之后，制备步骤(6)之前，还包括制备步骤：(5a)将所述样品五进行等离子刻蚀，以去除纳米压印处理后，在所述样品五表面不需要的区域残留的PMMA胶和UV胶。

7.根据权利要求4所述的基于碳纳米管的冷阴极X射线管的制作工艺，其特征在于，所述制备步骤(5)之后，制备步骤(6)之前，还包括制备步骤：(5b)用十八烷基三氯硅烷与甲苯按比例配置出1ppm的溶液，将所述样品五置于该溶液中浸泡12-18分钟后，再置于丙酮中浸泡1-2分钟。

8.根据权利要求7所述的基于碳纳米管的冷阴极X射线管的制作工艺，其特征在于，所述制备步骤(5b)，具体为：用十八烷基三氯硅烷与甲苯按比例配置出1ppm的溶液，将所述样品五置于该溶液中浸泡15分钟后，再置于丙酮中浸泡1分30秒。

9.根据权利要求4所述的基于碳纳米管的冷阴极X射线管的制作工艺，其特征在于，所述塑料模板的制备步骤，包括：(1)在刚性基材上旋涂一层光刻胶，得到中间品一；

(2)将预先制备的掩膜板贴在所述中间品一的光刻胶层上，进行光刻处理，得到中间品二，所述掩膜板的占空比为1:1；

(3)将所述中间品二进行反应离子刻蚀，得到中间品三，所述中间品三的刻蚀图案的凸起部分的厚度为90-110nm；

(4)利用所述中间品三，进行翻模处理，制备出所述塑料模板。

10.根据权利要求9所述的基于碳纳米管的冷阴极X射线管的制作工艺，其特征在于，所述中间品三的刻蚀图案的凸起部分的厚度为100nm。

11.根据权利要求9所述的基于碳纳米管的冷阴极X射线管的制作工艺，其特征在于，所述塑料模板的制备步骤(4)，具体包括：(4a)将1:10的聚二甲基硅氧烷滴在所述中间品三的刻蚀图案表面，并将40-60微米厚的PET塑料薄膜平铺于所述聚二甲基硅氧烷的表面，得到中间品四；

(4b)将所述中间样品四在75-85℃中，固化35-45分钟，将所述PET塑料薄膜从所述刚性基材上剥离，获得所述PET塑料模板。

12.根据权利要求9所述的基于碳纳米管的冷阴极X射线管的制作工艺，其特征在于：所述掩膜板为表面设置阵列图案的圆形菲林膜。

13.根据权利要求9所述的基于碳纳米管的冷阴极X射线管的制作工艺，其特征在于：所述光刻胶包括正性光刻胶和负性光刻胶；所述正性光刻胶为AZ5214光刻胶或S1805光刻胶，所述负性光刻胶为SU8-3010光刻胶；

当使用所述正性光刻胶时，所述塑料模板的制备步骤(1)之前，还包括：在刚性基材表面做防粘处理，所述防粘处理包括等离子表面处理和熏HMDS处理。

14.根据权利要求9所述的基于碳纳米管的冷阴极X射线管的制作工艺，其特征在于：所述反应离子刻蚀的条件为：

刻蚀气体为CF4/Ar，刻蚀气体的气流量为30/10sccm，刻蚀功率为170W，起辉压强为

4Pa，刻蚀时间为3分钟30秒。

15.根据权利要求11所述的基于碳纳米管的冷阴极X射线管的制作工艺，其特征在于：所述塑料模板的制备步骤(4a)，具体包括：

将1:10的聚二甲基硅氧烷滴在所述中间品三的刻蚀图案表面，并将50微米厚的PET塑料薄膜平铺于所述聚二甲基硅氧烷的表面，得到中间品四；

所述塑料模板的制备步骤(4b)，具体包括：

将所述中间样品四在80℃中，固化40分钟，将所述PET塑料薄膜从所述刚性基材上剥离，获得所述PET塑料模板。

16.根据权利要求1所述的基于碳纳米管的冷阴极X射线管的制作工艺，其特征在于：所述阴极为矩形，所述矩形的长度为5mm，所述矩形的宽度为2mm。

17.根据权利要求16所述的基于碳纳米管的冷阴极X射线管的制作工艺，其特征在于，所述管体为圆柱形管体，所述圆柱形管体的直径为20mm，所述圆柱形管体的长度为80mm。

18.根据权利要求1所述的基于碳纳米管的冷阴极X射线管的制作工艺，其特征在于，所述栅极距离阴极200微米，所述栅极被施加的电压在0.3-5千伏范围内。

19.根据权利要求1所述的基于碳纳米管的冷阴极X射线管的制作工艺，其特征在于，所述阳极与阴极的距离小于等于5毫米，所述阳极被施加的电压在20-65千伏范围内。

20.根据权利要求1所述的基于碳纳米管的冷阴极X射线管的制作工艺，其特征在于，所述栅极和阳极均为铜电极。

21.根据权利要求1所述的基于碳纳米管的冷阴极X射线管的制作工艺，其特征在于，所述管体在反射X射线的部分设置一块长度为200微米的铍玻璃。

22.根据权利要求1所述的基于碳纳米管的冷阴极X射线管的制作工艺，其特征在于，-5所述阳极与水平面成30-40°的夹角，所述管体内的真空度为10 Pa。