1.一种FS-IGBT器件阳极的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：a.在硅片(1)背面注入N型杂质高温推结，形成具有浓度梯度的掺杂层，其中表面较高掺杂浓度的为表面牺牲层(3)，位于表面牺牲层(3)和硅片(1)之间较低掺杂浓度的为场阻止层(2)；形成具有浓度梯度的掺杂层的具体方式为：提高离子能量注入N型杂质，提高离子注入的剂量以较低能量再次注入N型杂质，高温推结形成具有浓度梯度的掺杂层，其中表面较高掺杂浓度的为表面牺牲层(3)，位于表面牺牲层(3)和硅片(1)之间较低掺杂浓度的为场阻止层(2)，所述场阻止层(2)的杂质浓度为3×1016～1×1018cm-3、厚度大于5um，表面牺

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牲层(3)的浓度为5×10 ～1×10 cm 、厚度大于2um；

b.翻转硅片(1)完成正面制作工序；

c.去掉硅片(1)背面的表面牺牲层(3)；

d.清洗硅片(1)背面并注入P型杂质，退火形成P型集电极区(10)；

e.完成背面金属(11)积淀。

2.根据权利要求1所述的一种FS-IGBT器件阳极的制造方法，其特征在于，所述表面牺牲层(3)厚度为2～5um，所述阻止层(2)厚度为5～10um。

3.根据权利要求2所述的一种FS-IGBT器件阳极的制造方法，其特征在于，步骤c中所述去掉硅片(1)背面的表面牺牲层(3)为通过混合酸腐蚀液腐蚀，具体为：采用HF：HNO3：HAC＝3：2：1比例的混合酸腐蚀液，在常温下进行腐蚀。

4.根据权利要求3所述的一种FS-IGBT器件阳极的制造方法，其特征在于，步骤d中退火形成P型集电极区为在低于450℃环境下完成。