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专利号: 2013102397459
申请人: 中国科学院福建物质结构研究所
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
更新日期:2025-08-05
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种式I所示的二茂铁衍生物

I

其 中:R选 自: , , , , ,等杂环。

2.根据权利要求1所示的二茂铁衍生物,其特征在于:该二茂铁衍生物选自Fc-D1至Fc-D5之一:。

3.权利要求1所述二茂铁衍生物,对半胱氨酸具有电催化氧化特性。

4.根据权利要求3所述二茂铁衍生物,其特征在于:将所述二茂铁衍生物用来修饰玻碳电极,经修饰后的电极应用于电催化氧化半胱氨酸及其他的生物分子 或药物小分子。

5.权利要求3中二茂铁衍生物作为均相媒介或权利要求4中二茂铁衍生物修饰的玻碳电极可作为电化学传感器用于检测半胱氨酸、生物分子及药物小分子的含量。

6.一种权利要求1所述二茂铁衍生物的制备方法,以二茂铁甲酸和含羟基的杂环化合物或卤代物或羰基化合物(如:,等)为起始

料,在0℃至室温条件下,干燥的有机溶剂体系中催化反应制备。

7.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于:所述有机溶剂选自苯,甲苯,二甲苯,二氯甲烷,乙腈,DMF,四氢呋喃,四氯化碳或离子液体。

8.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于:所述催还反应采用的催化剂选自DMAP,NMM或三乙胺。