1.一种集成平面变栅距光栅和微狭缝的微型光谱仪，其特征在于，包括阵列光电探测器、上透光平板和下透光平板，所述上透光平板与所述下透光平板相向平行间距设置，所述阵列光电探测器设置于所述下透光平板的下端；所述上透光平板上设置有用于隔离环境光的隔光层，所述隔光层上设置有用于供光线穿过的透射狭缝；所述下透光平板与所述上透光平板相向的一面上设置有变栅距光栅，所述上透光平板与所述下透光平板相向的一面上设置有用于将光线反射至所述阵列光电探测器上的反射部件。

2.如权利要求1所述的集成平面变栅距光栅和微狭缝的微型光谱仪，其特征在于，所述隔光层为黑铬膜层，所述黑铬膜层通过蒸发镀膜或磁控溅射镀制于所述上透光平板的上表面。

3.如权利要求2所述的集成平面变栅距光栅和微狭缝的微型光谱仪，其特征在于，所述透射狭缝的宽度为10至200μm，所述透射狭缝通过刻蚀的方式形成于所述黑铬膜层。

4.如权利要求1所述的集成平面变栅距光栅和微狭缝的微型光谱仪，其特征在于，反射部件为反射镜，所述反射镜通过蒸发镀膜或磁控溅射镀制于所述下透光平板与所述上玻璃相向的一面上。

5.如权利要求1所述的集成平面变栅距光栅和微狭缝的微型光谱仪，其特征在于，所述反射部件为平面变栅距光栅。

6.如权利要求1至5中任一项所述的集成平面变栅距光栅和微狭缝的微型光谱仪，其特征在于，所述上透光平板和下透光平板采用熔石英或光学玻璃制成。

7.如权利要求1至5中任一项所述的集成平面变栅距光栅和微狭缝的微型光谱仪，其特征在于，所述阵列光电探测器为电荷耦合器件阵列、互补金属氧化物半导体、二极管阵列。

8.如权利要求1至5中任一项所述的集成平面变栅距光栅和微狭缝的微型光谱仪，其特征在于，所述变栅距光栅通过紫外光刻或电子束直写及镀膜工艺制作于所述下透光平板与所述上透光平板相向的一面上。

9.如权利要求1至5中任一项所述的集成平面变栅距光栅和微狭缝的微型光谱仪，其特征在于，所述变栅距光栅通过离子束刻蚀制成闪耀槽型的光栅。

10.一种集成平面变栅距光栅和微狭缝的微型光谱仪的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：准备阵列光电探测器、上透光平板和下透光平板；

于所述上透光平板的上平面设置一层用于隔离环境光的隔光层；

于所述隔光层开设用于供光线穿过的透射狭缝；

于所述上透光平板的下平面设置用于将光线反射至所述阵列光电探测器上的反射部件；

于所述下透光平板的上平面设置用于将从所述透射狭缝进入的入射光衍射至所述反射部件的变栅距光栅；

将所述上透光平板的下表面与所述下透光平板的上表面相对设置，将所述上透光平板与所述透光平板相向平行间距封装，并将所述阵列光电探测器设置于所述下透光平板的下表面。