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专利号: 2012100678608
申请人: 成都赛纳赛德科技有限公司
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2024-10-29
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种调谐结构,其特征在于:包括金属空腔(1)、从金属空腔(1)外伸入金属空腔(1)内的支撑体(2)、设置在支撑体(2)伸入到金属空腔(1)内一端的介质体(3);所述介质体(3)与支撑体(2)之间还设置有薄金属片(4),并且介质体(3)、薄金属片(4)、支撑体(2)三者之间的交界面为互相平行的平面;所述介质体(3)远离支撑体(2)的一面也设置有薄金属片(4);所述介质体(3)的相对介电常数或\和相对导磁率大于30。

2.根据权利要求1所述的一种调谐结构,其特征在于,所述支撑体(2)为柱状结构。

3.根据权利要求1所述的一种调谐结构,其特征在于,所述支撑体(2)在远离金属空腔(1)内部的一端设置有螺纹(7);支撑体(2)在远离金属空腔(1)内部的一端还设置有固定装置(5),所述支撑体(2)通过螺纹(7)与固定装置(5)配合,使得支撑体(2)在金属空腔(1)内上下移动调节,并由固定装置(5)固定。

4.根据权利要求1所述的一种调谐结构,其特征在于,在所述支撑体(2)与介质体(3)之间还设置有柱状金属台(6),所述柱状金属台(6)与支撑体(2)、介质体(3)的连接界面均为平面。

5.根据权利要求1至4中任意一项所述的一种调谐结构,其特征在于,所述支撑体(2)为导体或\和相对介电常数小于5的介质材料或\和相对导磁率小于5的介质材料。

6.根据权利要求1至4中任意一项所述的一种调谐结构,其特征在于,所述金属空腔(1)为开口的空腔或封闭的空腔。