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专利号: 201210067881X
申请人: 成都赛纳赛德科技有限公司
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2024-10-29
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种平面电路调谐结构,其特征在于:包括金属空腔(1)、从金属空腔(1)外伸入金属空腔(1)内的调谐支撑体(2)以及设置在调谐支撑体(2)伸入到金属空腔(1)内一端的调谐介质体(3);还包括与金属空腔(1)内壁连接的介质基片(8)、与介质基片(8)连接的金属导带(7);调谐介质体(3)位于金属导带(7)的上方;所述调谐介质体(3)与调谐支撑体(2)之间还设置有薄金属片(4),并且调谐介质体(3)、薄金属片(4)、调谐支撑体(2)三者之间的交界面为互相平行的平面;所述调谐介质体(3)远离调谐支撑体(2)的一面也设置有薄金属片(4)。

2.根据权利要求1所述的一种平面电路调谐结构,其特征在于,所述调谐支撑体(2)为柱状结构;所述调谐介质体(3)与调谐支撑体(2)的交界面为平面。

3.根据权利要求1所述的一种平面电路调谐结构,其特征在于,所述调谐支撑体(2)在远离金属空腔(1)内部的一端设置有螺纹;调谐支撑体(2)在远离金属空腔(1)内部的一端还设置有固定装置(6),所述调谐支撑体(2)通过螺纹与固定装置(6)配合,使得调谐支撑体(2)在金属空腔(1)内上行移动调节,并由固定装置(6)固定。

4.根据权利要求1所述的一种平面电路调谐结构,其特征在于,在所述调谐支撑体(2)与调谐介质体(3)之间还设置有柱状金属台(5),所述柱状金属台(5)与调谐支撑体(2)、调谐介质体(3)的连接界面均为平面。

5.根据权利要求1-4中任意一项所述的一种平面电路调谐结构,其特征在于,所述金属空腔(1)为开口的空腔或封闭的空腔。

6.根据权利要求1-4中任意一项所述的一种平面电路调谐结构,其特征在于,所述调谐介质体(3)的介电常数或/和导磁率大于30。

7.根据权利要求1-4中任意一项所述的一种平面电路调谐结构,其特征在于,金属导带(7)为底部与介质基片(8)相连且厚度小于0.1mm的任意形状的金属层。

8.根据权利要求1-4中任意一项所述的一种平面电路调谐结构,其特征在于,介质基片(8)为底部或者侧壁与金属空腔(1)相连的任意形状的介电常数小于3的介质体,且所述介质基片(8)的顶部为规则平面。