1.一种光学晶体气体检测系统，其特征在于，包括多孔硅褶皱光学晶体、测试腔体、探头以及光谱仪，所述多孔硅褶皱光学晶体是复合型的多孔硅褶皱光学晶体，复合型的多孔硅褶皱光学晶体是由多个折光系数呈正弦波整合波型构成的多层复合型多孔硅褶皱光学结构晶体；所述多孔硅褶皱光学晶体置于所述测试腔体内，所述多孔硅褶皱光学晶体表面在所述测试腔体内是裸露的，所述探头用于探测所述多孔硅褶皱光学晶体发出的光学信号，所述光谱仪与探头连接，用于测量所述探头探测到的光学信号； 所述探头探测到的光学信号为折射率、光致发光、双折射或光波导引起的特征峰漂移量，特征峰漂移量随气体浓度和气体种类变化形成检测矩阵，检测矩阵是峰位-浓度相关的多孔硅褶皱光学晶体特征峰漂移量的矩阵，测出光谱的初始峰位和测出通入待测气体后的特征峰漂移量，对照峰位-浓度相关的多孔硅褶皱光学晶体特征峰漂移量的矩阵，即可查找出待测气体的浓度的对应值和分辨气体种类及特征。

2.根据权利要求1所述的光学晶体气体检测系统，其特征在于，所述测试腔体包括用于容置所述多孔硅褶皱光学晶体的容置部和与所述容置部密封连接的透明上盖，所述容置部开设有进气孔和出气孔。

3.一种多孔硅褶皱光学晶体的制备方法，包括以下步骤：

将待加工硅片固定放置在电化学刻蚀槽内；

在所述电化学刻蚀槽内加入氢氟酸和乙醇的混合液作为刻蚀液；

将所述待加工硅片和电化学刻蚀槽内的惰性金属电极分别连接在电流源的正极和负极上； 所述电流源输出几个不同周期的正弦波形整合后的电流对所述待加工硅片进行刻蚀，得到复合型的多孔硅褶皱光学晶体； 所述刻蚀液是由体积比为3:1的氢氟酸与乙醇混合而成，所述氢氟酸混合前的浓度为

25%-51%；

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所述电流源输出的几个不同周期的正弦波形电流密度幅度处于10～50mA·cm 之间，周期2～15秒，循环30次。

4.根据权利要求3所述的多孔硅褶皱光学晶体的制备方法，其特征在于， 所述待加工硅片固定放置在电化学刻蚀槽内的步骤之前，还包括去除待加工硅片表面氧化层的步骤。

5.根据权利要求3所述的多孔硅褶皱光学晶体的制备方法，其特征在于，所述待加工硅片为（100）晶面、掺杂类型为p型的硅片，电阻率＜0.01Ω·cm 。