1.一种肖特基整流器件，其特征在于，该器件包括：由下至上依次为：阴极金属、第一导电类型阴极层、第一导电类型基底、第一导电类型外延层、势垒金属；以及位于外延层之上势垒金属区域外的二氧化硅层；所述的外延层至少有一个由其表面向下延伸的沟槽，沟槽位于外延层之上的二氧化硅层之下，所述的沟槽中设有填充层;沟槽至少一个侧壁向外倾斜,与外延层水平面的角度大于或等于10度，小于或等于45度，所述的沟槽内的填充层为多晶硅和二氧化硅。

2.根据权利要求1所述的肖特基整流器件，其特征在于：所述的第一导电类型外延层包括第一掺杂浓度外延层和第二掺杂浓度外延层，第二掺杂浓度外延层位于第一掺杂浓度外延层之上，第一掺杂浓度大于第二掺杂浓度。

3.根据权利要求2所述的肖特基整流器件，其特征在于：第一导电类型第一掺杂浓度外延层的掺杂浓度为1E16/CM3～3E16/CM3。

4.根据权利要求2所述的肖特基整流器件，其特征在于：第一导电类型第二掺杂浓度外延层的掺杂浓度为1E15/CM3～5E15/CM3。

5.根据权利要求1所述的肖特基整流器件，其特征在于：所述的沟槽深度大于肖特基结深。

6.根据权利要求5所述的肖特基整流器件，其特征在于：所述的沟槽深度为1um～

6um，肖特基结深为1um～3um。

7.根据权利要求1所述的肖特基整流器件，其特征在于：还包括位于第一导电类型基底和第一导电类型外延层之间的第一导电类型缓冲层。

8.根据权利要求1-7任意一项所述的肖特基整流器件，其特征在于：所述的第一导电类型为N型。

9.一种肖特基整流器件的制造方法,其特征在于，包括以下几个步骤：（a）形成第一导电类型基底；

（b）于第一导电类型基底之上形成第一导电类型外延层；

（c）于第一导电类型外延层中形成向外倾斜的沟槽，沟槽侧壁与外延层水平面的角度大于或等于10度，小于或等于45度；

（d）于沟槽中形成填充层；

（e）于沟槽之上形成二氧化硅层；

（f）于第一导电类型外延层之上的沟槽区域外形成势垒金属；

（g）于第一导电类型基底之下形成第一导电类型阴极层；

（h）于阴极层上形成接触电极；

步骤（d）中所述的沟槽中的填充层为多晶硅和二氧化硅。

10.根据权利要求9所述的一种肖特基整流器件的制造方法,其特征在于，所述的步骤（c）中的沟槽是先在外延层表面形成一层二氧化硅层，再通过曝光、显影形成沟槽图形，再腐蚀图形形成沟槽。

11.根据权利要求9所述的一种肖特基整流器件的制造方法,其特征在于，还包括以下步骤：在步骤（a）和步骤（b）之间增加一层第一导电类型缓冲层。

12.根据权利要求11所述的一种肖特基整流器件的制造方法,其特征在于，还包括以下步骤:在缓冲层上先生长第一导电类型第一掺杂浓度外延层，接着在第一掺杂浓度外延层上生长第一导电类型第二掺杂浓度外延层。

13.根据权利要求9-12任意一项所述的一种肖特基整流器件的制造方法,其特征在于,所述的第一导电类型为N型。