1.一种氮化物半导体发光二极管，包含： 第一导电半导体层； 在所述第一导电半导体层上的有源层； 在所述有源层上的第二导电半导体层；和 部分突出在所述第二导电半导体层上的第四半导体层。

2. 根据权利要求1的氮化物半导体发光二极管，其中所述第二 导电半导体层和所述第四半导体层是p-型半导体层。

3. 根据权利要求1的氮化物半导体发光二极管，包含在所述第 二导电半导体层上形成的所述第四半导体层下的第三导电半导体 层。

4. 根据权利要求3的氮化物半导体发光二极管，其中所述第三 导电半导体层是其铟含量顺序变动的超梯度InxGai_xN层。

5. 根据权利要求3的氮化物半导体发光二极管，包含在所述第 四半导体层上的第五半导体层。

6. 根据权利要求5的氮化物半导体发光二极管，其中所述第五 半导体层形成为与所述第三导电半导体层接触并包含掺杂于其中 的N-型掺杂剂。

7. 根据权利要求1的氮化物半导体发光二极管，其中所述第一导 电半导体层是硅和铟共掺杂的GaN层。

8. 根据权利要求1的氮化物半导体发光二极管，包含在所述第一 导电半导体层和所述有源层之间的InxGai_xN层。

9. 根据权利要求1的氮化物半导体发光二极管，包含在所述第一 导电半导体层下的In-掺杂的半导体层。

10. 根据权利要求1的氮化物半导体发光二极管，包含在所述第一 导电半导体层下的衬底和緩冲层中的至少 一个。

11. 根据权利要求10的氮化物半导体发光二极管，其中利用选自 AlInN/GaN分层结构、InGaN/GaN超晶格结构、InxGaLXN/GaN分 层结构和AlxInyGa^+y)N/InxGa^N/GaN分层结构中的一种来形成所述緩冲层。

12. 根据权利要求8的氮化物半导体发光二极管，包含在所述 Ii^Ga^N层之下和之上分别形成的第一 SiNx蔟层和第二 SiNx簇层。

13. 才艮据权利要求1的氮化物半导体发光二极管，其中所述有源 层包含：阱层、在所述阱层上的势垒层、以及在所述阱层和所述 势垒层之间形成的第三SiNx簇层，所述阱层和所述势垒层具有包含InyGa^yN阱层/InzGa^N势垒 层的多量子阱结构或单量子阱结构。

14. 根据权利要求13的氮化物半导体发光二极管，包含在所述 InyGaLyN阱层和所述InzGai.zN势垒层之间形成的GaN覆盖层。

15. 根据权利要求13的氮化物半导体发光二极管，其中掺杂到所 述InyGai.yN阱层/InzGa^N势垒层中的锢含量和掺杂到所述 InxGa^N层中的铟含量分别具有0

16. 根据权利要求1的氮化物半导体发光二极管，包含在所述有 源层和所述第二导电半导体层之间形成的SiNx簇层。

17. 根据权利要求4的氮化物半导体发光二极管，其中所述超梯度 IiixGa! JV层具有0

18. 根据权利要求5的氮化物半导体发光二极管，其中所述第三 半导体和/或所述第五半导体层具有InGaN/InGaN或InGaN/AlInGaN超晶格结构。

19. 根据权利要求8的氮化物半导体发光二极管，其中所述 IiixGa^N层是具有低铟含量的低摩尔InxGai-xN层。

20. 根据权利要求1的氮化物半导体发光二极管，包含在所述第 四半导体层上的电极。

21. 根据权利要求20的氮化物半导体发光二极管，其中所述电极 由透射金属氧化物或抗透射金属形成。

22. 根据权利要求21的氮化物半导体发光二极管，其中所述透射 金属氧化物是选自氧化铟锡（ITO )、氧化锌（ZnO )、氧化铱（IrOx )、氧化钌（RuOx)和氧化镍（NiO)中的一种。

23. 根据权利要求21的氮化物半导体发光二极管，其中所述抗透 射金属是含镍（Ni)的金（Au) M。

24. —种氮化物半导体发光二极管，包含： 第一导电半导体层； 在所述第一导电半导体层上的有源层； 在所述有源层上的第二导电半导体层；和 铟含量顺序变动的超梯度半导体层。

25. 根据权利要求24的氮化物半导体发光二极管，其中所i^梯 度半导体层是具有0

26. 根据权利要求24的氮化物半导体发光二极管，包含部分突出 在所述超梯度半导体层上的第四半导体层和在所述第四半导体层 上的第五半导体层。

27. 根据权利要求26的氮化物半导体发光二极管，其中所述第二 导电半导体层和所述第五半导体层是其中掺杂p-型掺杂剂的。

28. 根据权利要求26的氮化物半导体发光二极管，其中所述第一 导电半导体层、所述超梯度半导体层和所述第五半导体层是其中掺 杂n-型掺杂剂的。

29. 根据权利要求16的氮化物半导体发光二极管，其中所述第一 导电半导体层、所述超梯度半导体层和所述第五半导体层是其中掺 杂n-型掺杂剂的。

30. 根据权利要求26的氮化物半导体发光二极管，包含在所述超 梯度半导体层、所述第四半导体层和所述第五半导体层中的至少 一个上形成的电极。

31. 根据权利要求26的氮化物半导体发光二极管，包含在所述超 梯度半导体层、所述第四半导体层和所述第五半导体层中的至少 一个上形成的电极。

32. 根据权利要求26的氮化物半导体发光二极管，其中所述超梯度半导体层和所述第五半导体层中的至少一个具有InGaN/InGaN 或InGaN/AlInGaN超晶格结构。

33. 根据权利要求26的氮化物半导体发光二极管，其中所述 InGaN/InGaN或InGaN/AlInGaN超晶格结构具有掺杂于其中的n-型掺杂剂。

34. 根据权利要求26的氮化物半导体发光二极管，包含在所述第 一导电半导体层和所述有源层之间的InxGa^N层。

35. 根据权利要求26的氮化物半导体发光二极管，包含在所述第 一导电半导体层和所述有源层之间的In,Ga^N层。

36. 根据权利要求35的氮化物半导体发光二极管，其中所述第一 导电半导体层是硅和铟共掺杂的半导体层。

37. 根据权利要求24的氮化物半导体发光二极管，其中所述有源 层包含形成为具有原子尺度的厚度的SiNx簇层。

38. 根据权利要求24的氮化物半导体发光二极管，包含在所述第 一导电半导体层下的In-掺杂的半导体层、緩冲层和衬底中的至少 一水