1.一种氮化铝覆铜膜前体，包括氮化铝基材及位于氮化铝基材上的粘结层，所述粘结层含有主料和烧结助剂，其中，所述主料含有二氧化硅和/或氧化铝；烧结助剂含有氧化亚铜。

2.根据权利要求1所述的氮化铝覆铜膜前体，其中，所述粘结层厚度为1-2μm。

3.根据权利要求1或2所述的氮化铝覆铜膜前体，其中，以所述粘结层总重量为基准，所述主料含量为50-90wt％，烧结助剂含量为10-50wt％。

4.如权利要求1所述的氮化铝覆铜膜前体的制备方法，包括：a、采用粘结剂在氮化铝基材表面形成预烧层，所述粘结剂中含有主料和烧结助剂，其中，所述主料含有二氧化硅和/或氧化铝，烧结助剂含有氧化亚铜；

b、将表面具有预烧层的氮化铝基材在真空环境下进行热处理，预烧层转变为粘结层。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其中，所述形成预烧层的方法为：将粘结剂采用物理气相沉积的方法形成到氮化铝基材表面，得到所述预烧层。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其中，所述形成所述预烧层的方法为真空蒸镀。

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7.根据权利要求6所述的制备方法，其中，所述真空蒸镀的条件为：真空度不大于10帕，电源偏压为100-300V，电源功率为1500-2000W，电源的占空比为40-70％，靶材为所述粘结剂，真空蒸镀时间为5-20分钟。

8.根据权利要求4-7中任意一项所述的制备方法，其中，所述粘结层厚度为1-2μm。

9.根据权利要求4-7中任意一项所述的制备方法，其中，以所述粘结剂总重量为基准，所述主料含量为50-90wt％，烧结助剂含量为10-50wt％。

10.根据权利要求4-7中任意一项所述的制备方法，其中，步骤b具体为：将表面具有预烧层的氮化铝基材在1250-1300℃下烧结0.1-1h。

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11.根据权利要求10所述的制备方法，其中，烧结在真空度不大于10 Pa的环境中进行。

12.一种氮化铝覆铜膜，包括氮化铝覆铜膜前体及位于氮化铝覆铜膜前体上的铜箔，所述氮化铝覆铜膜前体为权利要求1-3中任意一项所述的氮化铝覆铜膜前体；铜箔与氮化铝覆铜膜前体上的粘结层相接触。

13.根据权利要求12所述的氮化铝覆铜膜，其中，所述氮化铝覆铜膜中，氮化铝基材厚度为300-1000μm，铜箔厚度为150-300μm；该氮化铝覆铜膜的导热系数为160-180W/(m·K)，剥离强度为9-10N/mm，抗拉强度为25-27MPa。

14.如权利要求12所述的氮化铝覆铜膜的制备方法，包括：c、将铜箔表面进行预氧化，形成预氧化面；

d、将铜箔与氮化铝覆铜膜前体在惰性气氛中进行熔接处理，其中所述氮化铝覆铜膜前体为权利要求1-3中任意一项所述的氮化铝覆铜膜前体，熔接时铜箔的预氧化面与氮化铝覆铜膜前体的粘结层接触。

15.根据权利要求14所述的氮化铝覆铜膜的制备方法，其中，步骤d中的熔接条件为：熔接温度为1065-1083℃，熔接时间为5-10min。