本发明公开了一种智能制造用具有筛分功能的上料装置，涉及上料装置领域，包括底板，底板上连接有支架，支架上连接有工作台；工作台上表面连接有第一罩壳，第一罩壳内设有储料室，储料室上端连通入料斗；储料室底端设有筛选盘，筛选盘绕其中心轴转动并绕该轴设有若干筛网，筛网的转动位置依次经过储料室下端；所述筛选盘下侧设有固定转箱；固定转箱底部铰接有第二落料板，固定转箱上设有用于固定第二落料板挡设在该开口处位置的固定件；所述固定转箱腔室内转动连接有分类转箱，分类转箱内绕设有若干分类室；固定转箱下侧设有上料装置。通过筛选盘和分类转箱将不同放置进的储料室内的滚珠自动筛选分类，方便加工使用，减少了报废量。

本实用新型公开了一种景观设计用方便拼接绿植栽培托架包括托架本体、绿植固定机构、排水收集机构；托架本体包括用于摆放绿植的绿植安置层、用于收集积水的积水收集层；积水收集层位于绿植安置层的下方；绿植安置层包括支撑底板、位于支撑底板前后两侧的挡水侧板；绿植固定机构安装在绿植安置层上；排水收集机构安装在积水收集层上，并与绿植安置层的支撑底板连接。本实用新型除了作为景观之外，还具有花盆积水收集、物品收纳等多功能用途；花盆的积水通过排水收集机构排走并收集，避免积水直接流至绿植栽培托架的托架本体，大大提高了绿植栽培托架的使用寿命；通过绿植固定机构夹紧摆放在绿植安置层的绿植的花盆，达到固定绿植的目的。

本发明提供一种光栅结构的硅基全硅表面吸收探测器，包括：衬底层，所述衬底层是SOI；硅光波导层，形成于所述衬底层上；光栅层，形成与所述衬底层上，并与所述硅光波导层耦合连接；其中，所述光栅层包括本征区以及位于所述本征区两侧的P型区和N型区；电极，包括阳极和阴极；其中，所述阳极设置于所述N型区，所述阴极设置于所述P型区。本发明通过表面光栅结构较直波导结构增加了表面区域，从而有效增加了吸收面积，进而提高了响应度；光栅结构形成谐振腔，使光能量较好的限制在光栅结构内部，被多次吸收。

一种光电探测器，涉及光电探测器领域。包括光导部、光吸收段、p型半导体、n型半导体、第一电极、第二电极和第三电极。光导部设于p型半导体和n型半导体之间，光吸收段贴合于光导部并沿光导部的光路方向设置。第一电极导通连接于p型半导体，第二电极导通连接于n型半导体，第三电极导通连接于光吸收段。光吸收段由光电效应材料制成。沿光路方向，光吸收段的长度为倏逝波耦合周期的(0.9n‑0.5)～(1.1n‑0.5)倍。结构简单，具有更大的饱和电流、更高的带宽和更高的响应度，整体性能得到了明显提升，对于进一步提升光纤通信系统的整体工作性能具有积极意义。

一种新型侧向pn结光电探测器，涉及光电探测器领域。新型侧向pn结光电探测器的p型slab区和n型slab区的导通长度之比为1：2.7900～2.8400。其结构简单，能够有效改善运行过程中的响应度，提高运行带宽，而且还能够提升运行过程中的稳定性和精确度，对于提升系统整体的运转效率、运转效能具有积极意义。

本发明公开了一种基于硅基电光调制器的调制臂长度设置方法及设备。其中，所述方法包括：硅基电光调制器设置P型掺杂区的调制臂的调制臂长度和N型掺杂区的调制臂的调制臂长度不相等，进而在设置P型掺杂区的调制臂的调制臂长度和N型掺杂区的调制臂的调制臂长度不相等之后，使一载流子区中的电子载流子和另一载流子区中的空穴载流子的迁移达到匹配的效果。通过上述方式，能够实现硅基电光调制器能对调制臂的臂长进行设置来对自身的插损和带宽的影响进行优化。

本发明提供了一种基于石墨烯的光电探测器，包括：氧化物衬底层；硅波导层，形成于所述氧化物衬底层上；其中，所述硅波导层包括矩形硅波导以及微环形硅波导，所述微环形硅波导设置于所述矩形硅波导的第一侧，并与所述矩形硅波导形成微环谐振腔结构；石墨烯层，设置于所述硅波导层上，并覆盖所述矩形硅波导以及所述微环形硅波导；第一金属电极，设置于所述硅波导层的覆盖有所述石墨烯层的一侧，并位于所述石墨烯层上；第二金属电极，设置于所述硅波导层的未设置有所述石墨烯层的另一侧。本发明能在不延长吸收长度以及不影响带宽的前提下提高光电探测器的响应度。

本发明提供了一种具有电流放大作用的硅光电探测器，包括：硅光波导区；第一N型重掺杂硅区和第二N型重掺杂硅区；其中，所述第一N型重掺杂硅区和第二N型重掺杂硅区分别位于所述硅光波导区两侧；P型重掺杂硅区及第三N型重掺杂硅区；其中，所述P型重掺杂硅区设置于所述第一N型重掺杂硅区与所述第三N型重掺杂硅区之间；第一金属电极，电连接至所述P型重掺杂硅区；第二金属电极，电连接至第二N型重掺杂硅区；第三金属电极，电连接至第三N型重掺杂硅区。本发明通过对各个区的掺杂类型以及掺杂浓度进行设置，使得补充一个很小的电流就可以在第三N型重掺杂硅区的电极上得到一个较大的电流，可以提高整体的检测精度。

本发明提供了一种电容式光电探测器包括：第一电极；第二电极，与所述第一电极相对设置；光吸收层，设置于所述第一电极与所述第二电极之间；绝缘层，设置于所述第一电极与所述光吸收层以及所述第二电极与所述光吸收层之间，并覆盖所述光吸收层；基于本发明，通过绝缘材料隔断两个电极，使之内部无法形成回路，使得外部加电压的情况下，电容式光电探测器内部暗电流为零，从而减小了系统的误码率，有效的提高了器件的工作频率。

本发明提供了一种自支撑锗薄膜的制备方法，包括：提供硅衬底；对所述硅衬底进行电化学刻蚀，使得所述硅衬底上生成均匀的、致密的纳米多孔洞，获得纳米多孔硅衬底；在所述纳米多孔硅衬底上淀积一层锗薄膜；对所述纳米多孔硅上外延锗薄膜后进行高温退火，在锗硅异质结界面处空洞发生串并；将所述锗薄膜从所述纳米多孔硅衬底上剥离下来。本发明实施例提供了一种自支撑锗薄膜的制备方法，制备工艺简单可行，且有效的降低了制作锗薄膜的成本。