1.可防止信息泄露的小尺寸交指电容加载近场传感节点天线，包括介质基板，其特征在于：介质基板的顶层刻蚀有上段弯折微带线、下段弯折微带线以及设置在上段弯折微带线和下段弯折微带线交接处的交指电容结构，上段弯折微带线、下段弯折微带线远离交指电容结构的一侧设置有阻抗匹配电阻单元，阻抗匹配电阻单元远离交指电容结构的一侧设置有馈线单元。

2.根据权利要求1所述的可防止信息泄露的小尺寸交指电容加载近场传感节点天线，其特征在于：上段弯折微带线和下段弯折微带线呈Π形对称设置，交指电容结构用于连接上段弯折微带线和下段弯折微带线。

3.根据权利要求2所述的可防止信息泄露的小尺寸交指电容加载近场传感节点天线，其特征在于：上段弯折微带线、下段弯折微带线、交指电容结构共同组成一个方形环路辐射结构，方形环路辐射结构上的电流流向呈现相同时针方向。

4.根据权利要求2所述的可防止信息泄露的小尺寸交指电容加载近场传感节点天线，其特征在于：交指电容结构由若干个交指电容单体组成，交指电容单体与上段弯折微带线和下段弯折微带线一体成型。

5.根据权利要求4所述的可防止信息泄露的小尺寸交指电容加载近场传感节点天线，其特征在于：通过改变交指电容单体的数量与形状实现远场增益辐射的抑制。

6.根据权利要求1所述的可防止信息泄露的小尺寸交指电容加载近场传感节点天线，其特征在于：阻抗匹配电阻单元包括第一阻抗匹配电阻 和第二阻抗匹配电阻 。

7.根据权利要求6所述的可防止信息泄露的小尺寸交指电容加载近场传感节点天线，其特征在于：馈线单元包括天线输入馈线和天线输出馈线；第一阻抗匹配电阻 和第二阻抗匹配电阻 的另一侧分别设置有天线输入馈线和天线输出馈线。

8.根据权利要求7所述的可防止信息泄露的小尺寸交指电容加载近场传感节点天线，其特征在于：通过改变第一阻抗匹配电阻 和第二阻抗匹配电阻 的阻值来调整阻抗匹配度。

9.根据权利要求7所述的可防止信息泄露的小尺寸交指电容加载近场传感节点天线，其特征在于：天线输入馈线和天线输出馈线的一端均连接有SMA头。