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专利号: 2025211508251
申请人: 中山市光圣有为科技有限公司
专利类型:实用新型
专利状态:已下证
更新日期:2026-05-14
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种具有高光提取效率的UVC LED光源,其特征在于,包括:

配置有金属电极(10)的封装基板(1);

在所述金属电极(10)上焊接有LED芯片(2),所述封装基板(1)的上方还安装有光窗组件(3),所述光窗组件(3)套设在所述LED芯片(2)的外围;

其中所述LED芯片(2)的外侧包覆有有机油层(4),所述有机油层(4)的上端接触所述光窗组件(3)的内底面。

2.根据权利要求1所述的一种具有高光提取效率的UVC LED光源,其特征在于:所述光窗组件(3)包括金属管壳(31)以及置于所述金属管壳(31)顶部开口内的透镜(32);

所述透镜(32)的外周和所述金属管壳(31)的开口之间通过焊料环(33)焊接固定。

3.根据权利要求2所述的一种具有高光提取效率的UVC LED光源,其特征在于:在所述封装基板(1)的上方还成型有封焊金属层(11),所述封焊金属层(11)成型在所述金属电极(10)的外围并与所述金属管壳(31)的底部焊接固定。

4.根据权利要求2所述的一种具有高光提取效率的UVC LED光源,其特征在于:所述透镜(32)的上、下两端面上还成型有增透膜(34)。

5.根据权利要求1所述的一种具有高光提取效率的UVC LED光源,其特征在于:在所述金属电极(10)的上表面还成型有围坝结构(12),两个所述金属电极(10)上的围坝结构(12)对称设置、且阻挡在所述有机油层(4)的底部。

6.根据权利要求5所述的一种具有高光提取效率的UVC LED光源,其特征在于:所述围坝结构(12)的高度不低于50um,所述围坝结构(12)和LED芯片(2)之间的间距不小于100um。

7.根据权利要求2所述的一种具有高光提取效率的UVC LED光源,其特征在于:所述有机油层(4)的上端经由所述透镜(32)的底部横向挤压形成横截面为上大下小的梯形结构。

8.根据权利要求1所述的一种具有高光提取效率的UVC LED光源,其特征在于:所述封装基板(1)为金属支架或者陶瓷支架。

9.根据权利要求1‑8中任一项所述的一种具有高光提取效率的UVC LED光源,其特征在于:所述有机油层(4)为有机氟油层。