1.一种基于类EIT效应的四频带超表面抗生素传感芯片，其特征在于，包括：

至少一超材料单元，其中每一超材料单元包括置于石英介质基底上的谐振层，谐振层由三个同心设置的外环谐振器、中环谐振器、内环谐振器以及置于外环谐振器底部的U型谐振器组成，外环谐振器和中环谐振器均为完整的圆环，内环谐振器为带有非贯通缺口的圆环，内环谐振器上的内壁朝向外壁的方向形成弧形的非贯通缺口，且非贯通缺口的弧心不位于U型谐振器的中轴线上，非贯通缺口位于内环谐振器远离U型谐振器的一侧，谐振层的材料为铜，在0.49THz、0.59THz、0.76THz以及0.86THz的频段产生类EIT透明窗口，其中

0.49THz、0.59THz以及0.76THz作为盐酸金四环素的多峰指纹确认通道，0.86THz作为青霉素钠的指纹确认通道，第一个透明窗口由外环谐振器与底部的U型谐振器之间的亮–暗耦合产生；第二个透明窗口由中环谐振器与外环谐振器之间的暗–暗耦合产生；第三个透明窗口由内环谐振器与中环谐振器的暗–暗耦合产生；第四个透明窗口由内环谐振器与U型谐振器的亮–暗耦合产生。

2.根据权利要求1所述的基于类EIT效应的四频带超表面抗生素传感芯片，其特征在于，外环谐振器的圆心位于U型谐振器的中轴线上，且外环谐振器的直径小于U型谐振器的长度。

3.根据权利要求1所述的基于类EIT效应的四频带超表面抗生素传感芯片，其特征在于，U型谐振器包括横条以及垂直于横条且间隔设置的两个竖条，横条和两个竖条形成U形，外环谐振器的直径小于两个竖条之间的横向距离。

4.根据权利要求3所述的基于类EIT效应的四频带超表面抗生素传感芯片，其特征在于，两个竖条相对于横条的中轴线对称设置且位于横条的非断点位置。

5.根据权利要求1所述的基于类EIT效应的四频带超表面抗生素传感芯片，其特征在于，外环谐振器的半径为73µm，中环谐振器的半径为56µm，内环谐振器的半径为38µm。

6.根据权利要求1所述的基于类EIT效应的四频带超表面抗生素传感芯片，其特征在于，内环谐振器的内侧朝向外侧减去一个圆心相对于U型谐振器的中轴线偏移26µm，半径为

23µm的弧形区域以形成非贯通缺口。