1.一种高掺杂渐变折射率型四芯四模强耦合模分复用器，其特征在于：包括中心少模纤芯(4)、外围单模纤芯以及基底材料(5)；

所述中心少模纤芯(4)和外围单模纤芯位于基底材料(5)内，且中心少模纤芯(4)位于基底材料(5)的中心，外围单模纤芯依次分布在中心少模纤芯的外围；

所述中心少模纤芯以及外围单模纤芯均采用渐变折射率分布结构，光纤折射率分布函数如下：在公式中，n  1是r =0处的折射率，r 表示光纤半径，Δ表示相对折射率差 ，其中包层折射率为n 2，纤芯半径为a ，包层半径为b ，折射率分布参数为g ，g =3；

所述外围单模纤芯包括用于向中心少模纤芯进行LP21模式转换的第一单模纤芯(1)、用于向中心少模纤芯进行LP02模式转换第二单模纤芯(2)、用于向中心少模纤芯进行LP11模式转换的第三单模纤芯(3)；

所述第一单模纤芯(1)和中心少模纤芯(4)的中心连线与第二单模纤芯(2)和中心少模纤芯(4)的中心连线夹角为120°，第二单模纤芯(2)和中心少模纤芯(4)的中心连线与第三单模纤芯(3)和中心少模纤芯(4)的中心连线夹角为120°，第三单模纤芯(3)和中心少模纤芯的中心连线与第一单模纤芯(1)和中心少模纤芯的中心连线夹角为120°；

所述第一单模纤芯(1)、第二单模纤芯(2)、第三单模纤芯(3)的中心到中心少模纤芯(4)的正中心之间的距离分别为：L1、L2、L3，其中，L1＝15.71μm，L2＝16.25μm，L3＝13.81μm；

所述第一单模纤芯(1)、第二单模纤芯(2)、第三单模纤芯(3)的直径相等，均为9.0μm；

所述第一单模纤芯(1)在1550nm波长下纤芯最高点纤芯折射率为1.45219，曲线公式为；

所述第二单模纤芯(2)在1550nm波长下纤芯最高点纤芯折射率为1.45171，曲线公式为；

所述第三单模纤芯(3)在1550nm波长下纤芯最高点纤芯折射率为1.45832，曲线公式为；

所述中心少模纤芯(4)的直径为15μm，在1550nm波长下中心少模纤芯折射率为1.460，曲线公式为 。

2.根据权利要求1所述的一种高掺杂渐变折射率型四芯四模强耦合模分复用器，其特征在于：在模分复用器横截面上，外围单模纤芯呈三角形排列分布，其中每个外围单模纤芯分别位于三角形的其中一个顶点上。

3.根据权利要求2所述的一种高掺杂渐变折射率型四芯四模强耦合模分复用器，其特征在于：所述基底材料(5)的材质为二氧化硅，其折射率在1550nm波长下为1.4440。

4.根据权利要求3所述的一种高掺杂渐变折射率型四芯四模强耦合模分复用器，其特征在于：模分复用器长度为8000μm。