1.一种跨基膜反扩散原位生长ZIF改性的聚乙烯基聚酰胺荷正电纳滤膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：首先，用含有均苯三甲酰氯单体的有机相溶液浇涂支撑底膜的一个面上，再浇涂含有聚乙烯亚胺单体和六水合硝酸锌的混合水相溶液，进行反相界面聚合，反应完成后，在支撑底膜未进行界面聚合的一侧的面上进行咪唑溶液的反扩散，原位生长形成均匀生长ZIF的复合纳滤膜，即为跨基膜反扩散原位生长ZIF改性的聚乙烯基聚酰胺荷正电纳滤膜。

2.一种跨基膜反扩散原位生长ZIF改性的聚乙烯基聚酰胺荷正电纳滤膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：制备聚乙烯亚胺和锌离子的混合水溶液为水相溶液，制备芳香酰氯的烷烃类溶液为有机相溶液，制备含有咪唑单体的水或醇溶液作为反扩散的咪唑溶液；

步骤2：在多孔聚烯烃支撑底膜的一侧表面浇涂步骤1准备好的有机相溶液，浸润后除去多余溶液；

步骤3：使用步骤1配置的水相溶液浇涂步骤2获得的浸润有机相单体的支撑底膜，反相界面聚合后，除去多余溶液，得到多孔聚烯烃支撑材料；

步骤4：在步骤3所得多孔聚烯烃支撑材料未进行界面聚合的一侧表面浇涂步骤1准备好的反扩散的咪唑溶液，反扩散原位生长后，除去多余溶液，得到纳滤膜；

步骤5：将步骤4所获得的纳滤膜进行热处理，醇活化，即可得到跨基膜反扩散原位生长ZIF改性的聚乙烯基聚酰胺荷正电纳滤膜。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤1中，所述聚乙烯亚胺单体分子量为700到7万道；

所述芳香酰氯为均苯三甲酰氯，所述芳香酰氯的烷烃类溶液中的溶剂为正己烷、环己烷、乙酸乙酯、十二烷烃中的一种或多种；

所述咪唑单体为二甲基咪唑、苯并咪唑中的一种或多种，所述的水为去离子水，所述的醇为甲醇、乙醇中的一种或多种。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤1中，所述的水相溶液中聚乙烯亚胺和水的用量比为0.1～2.0g：100mL；所述的水相溶液中锌离子浓度为0.0002～0.002mol/L；

所述的有机相溶液中芳香酰氯与烷烃的用量比为0.01～0.1g：100mL；

所述的反扩散的咪唑溶液中咪唑配体浓度为0.003～0.03mol/L。

5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤2中：有机相溶液的浇涂时间为1～10分钟。

6.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤3中：水相溶液的浇涂时间为1～

10分钟。

7.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤4中：反扩散的咪唑溶液的浇涂时间为1～60分钟。

8.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤5中：热处理的条件为：烘干温度为50～80℃，烘干时间为10～20分钟。

9.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤5中：醇活化所使用的醇类型为异丙醇，醇活化时间为1‑3分钟。

10.根据权利要求1～9任一项所述的制备方法制备的跨基膜反扩散原位生长ZIF改性的聚乙烯基聚酰胺荷正电纳滤膜在水处理镁锂分离中的应用。