1.一种芯片废水处理复合材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：将质量比为1:（4 6）的活性炭‑锆负载材料浸没于氧化铝溶胶中，在450 550r/min的磁~ ~力搅拌下浸渍1 1.5h；所述活性炭‑锆负载材料与所述氧化铝溶胶的质量比为1:5.8；

~

将浸渍后的体系置于60 70℃的温度下干燥0.5 2h，所得固体于400 900℃的温度下焙~ ~ ~烧4 6h，制得复合材料；所述焙烧在氮气气氛下进行，所述氮气气氛的流量为8 10L/min；

~ ~

所述活性炭‑锆负载材料的制备方法包括：将去离子水与无水乙醇混合制得预制液；

活性炭经预处理后加入所述预制液中，超声处理1 2h制得悬浮液，在磁力搅拌下向所~述悬浮液中加入氯氧化锆，溶解后加入氢氧化钠，调节pH至9 11，制得混合液；

~

所述混合液经超声处理1 2h，再加热至175 185℃，反应0.5 2h，所得固体产物经冷却、~ ~ ~研磨，制得所述活性炭‑锆负载材料；

所述复合材料作为氟离子吸附剂，应用于芯片废水处理中进行除氟，其中，所述活性炭‑锆负载材料的投加量为1.00g/L、1.25g/L、1.50g/L、1.75g/L或2.0g/L。

2.根据权利要求1所述芯片废水处理复合材料的制备方法，其特征在于，所述焙烧时的温度介于500 700℃。

~

3.根据权利要求1所述芯片废水处理复合材料的制备方法，其特征在于，所述研磨的目数为30 40目。

~

4.根据权利要求1所述芯片废水处理复合材料的制备方法，其特征在于，所述活性炭经预处理后加入所述预制液中时，预处理的方法包括：将活性炭置于浓度为0.5 1.5mol/L的硝酸溶液中，在100 140rpm下震荡4 8h，再静置1~ ~ ~

3h，清洗得到预处理后的所述活性炭。

~

5.根据权利要求1所述芯片废水处理复合材料的制备方法，其特征在于，所述氧化铝溶胶的制备方法包括：将去离子水加热至83 85℃，再向其加入异丙醇铝，恒温磁力搅拌1.5 2.5h，水解得到~ ~反应溶液，向所述反应溶液中加入浓度为0.5 1.5mol/L的硝酸，反应制得所述氧化铝溶胶。

~

6.根据权利要求5所述芯片废水处理复合材料的制备方法，其特征在于，所述异丙醇铝、去离子水和硝酸的摩尔比为1:(120 130):(0.2 0.24)。

~ ~

7.一种根据权利要求1 6任一项所述芯片废水处理复合材料的制备方法获得的复合材~料，其特征在于，所述复合材料作为氟离子吸附剂，应用于芯片废水处理中进行除氟；

当所述复合材料饱和时，经过再生处理后回收再利用，所述再生处理的方法包括：将饱和的所述复合材料依次过滤、干燥，再将其置于硫酸铝溶液中，超声处理2 3h后再~依次过滤、干燥，将所述复合材料回收再利用。