1.一种铜掺杂的离子型COF材料Cu@TVPT‑COF，其特征在于，以Cu为中心金属原子，以离子型COF材料为基体得到Cu@TVPT‑COF；

所述的铜掺杂的离子型COF材料Cu@TVPT‑COF的制备方法，方法如下：

1）将N,N'‑二取代‑4,4'‑联吡啶阳离子盐TVN与2,4,6‑三(4‑氨基苯基)‑1  ,3,5‑三嗪TAPT 混合，溶于乙醇/水中，经三次冷冻解冻‑循环脱气后进行反应，用乙醇和水洗涤六次，过滤、烘干后得到离子型COF材料TVPT‑COF；

2）将硫酸铜和TVPT‑COF溶于四氢呋喃THF中，混合后搅拌均匀转移至高压反应釜中进行反应，离心收集沉淀，用乙醇多次洗涤，烘干后得到Cu@TVPT‑COF。

2.权利要求1所述的一种铜掺杂的离子型COF材料Cu@TVPT‑COF的制备方法，其特征在于，方法如下：

1）将N,N'‑二取代‑4,4'‑联吡啶阳离子盐TVN与2,4,6‑三(4‑氨基苯基)‑1  ,3,5‑三嗪TAPT 混合，溶于乙醇/水中，经三次冷冻解冻‑循环脱气后进行反应，用乙醇和水洗涤六次，过滤、烘干后得到离子型COF材料TVPT‑COF；

2）将硫酸铜和TVPT‑COF溶于四氢呋喃THF中，混合后搅拌均匀转移至高压反应釜中进行反应，离心收集沉淀，用乙醇多次洗涤，烘干后得到Cu@TVPT‑COF。

3.根据权利要求2所述的一种铜掺杂的离子型COF材料Cu@TVPT‑COF的制备方法，其特征在于，步骤1）中， TAPT和TVN的摩尔比为5：3，乙醇：水的体积比为4：1。

4.根据权利要求2所述的一种铜掺杂的离子型COF材料Cu@TVPT‑COF的制备方法，其特征在于，步骤1）中，所述的反应是在120℃下反应72h。

5.根据权利要求2所述的一种铜掺杂的离子型COF材料Cu@TVPT‑COF的制备方法，其特征在于，步骤2）中，按质量比，硫酸铜：TVPT‑COF=2:1。

6.根据权利要求2所述的一种铜掺杂的离子型COF材料Cu@TVPT‑COF的制备方法，其特征在于，步骤2）中，所述的反应是120℃下反应36h。

7.一种含有权利要求1所述的Cu@TVPT‑COF电极，其特征在于，制备方法如下，将权利要求1所述的Cu@TVPT‑COF、乙炔黑，萘酚膜溶液，异丙醇，超纯水，超声后滴涂到碳布上，烘干，得到Cu@TVPT‑COF电极。

8.权利要求7所述的Cu@TVPT‑COF电极在电化学硝酸根还原中的应用。

9.根据权利要求8所述的应用，其特征在于，将权利要求7所述的Cu@TVPT‑COF电极作为工作电极，对电极为铂片电极，参比电极为Ag/AgCl参比电极，阴极电解液和阳极电解液都使用0.1 M KNO3溶液和1 M KOH溶液。