1.一种基于双石墨烯矩形谐振腔边耦合波导的逻辑或门装置，其特征在于：包含硅衬底(1)、蓝宝石层(2)、石墨烯纳米条波导(3)、石墨烯矩形谐振腔(4)，其中：所述蓝宝石层(2)设于所述硅衬底(1)的上方；所述蓝宝石层(2)的上表面设有所述石墨烯纳米条波导(3)、所述石墨烯矩形谐振腔(4)；

所述石墨烯纳米条波导(3)包含第一石墨烯纳米条波导(3.1)、第二石墨烯纳米条波导(3.2)；

所述第一石墨烯纳米条波导(3.1)、所述第二石墨烯纳米条波导(3.2)从前向后依次排列；

所述石墨烯矩形谐振腔(4)包含第一石墨烯矩形谐振腔(4.1)、第二石墨烯矩形谐振腔(4.2)；

所述第一石墨烯矩形谐振腔(4.1)与所述第二石墨烯矩形谐振腔(4.2)并联设置；所述第一石墨烯矩形谐振腔(4.1)与所述第二石墨烯矩形谐振腔(4.2)分别设于所述石墨烯纳米条波导(3)的左右两侧，并与所述石墨烯纳米条波导(3)形成边耦合结构；

所述石墨烯纳米条波导(3)的化学势固定为0.6eV；

当所述第一石墨烯矩形谐振腔(4.1)和所述第二石墨烯矩形谐振腔(4.2)的化学势固定为0.60eV时，本逻辑异或门输出的逻辑为“1”；

当所述第一石墨烯矩形谐振腔(4.1)和所述第二石墨烯矩形谐振腔(4.2)的化学势固定为0.2eV时，本逻辑异或门输出的逻辑为“0”。

2.根据权利要求1所述的基于双石墨烯矩形谐振腔边耦合波导的逻辑或门装置，其特征在于：所述硅衬底(1)的厚度为300nm；所述蓝宝石层(2)的厚度为300nm；所述第一石墨烯矩形谐振腔(4.1)的长度为140nm，宽度为10nm；所述第二石墨烯矩形谐振腔(4.2)的长度为

140nm，宽度为10nm；所述第一石墨烯纳米条波导(3.1)的宽度为10nm；所述第二石墨烯纳米条波导(3.2)的宽度为10nm。

3.根据权利要求2所述的基于双石墨烯矩形谐振腔边耦合波导的逻辑或门装置，其特征在于：所述蓝宝石层(2)的折射率和损耗因子在波长5.37μm处分别为1.60和0.0004。

4.根据权利要求3所述的基于双石墨烯矩形谐振腔边耦合波导的逻辑或门装置，其特征在于：所述石墨烯纳米条波导(3)与所述石墨烯矩形谐振腔(4)之间的耦合距离为10nm。

5.根据权利要求4所述的基于双石墨烯矩形谐振腔边耦合波导的逻辑或门装置，其特征在于：所述第一石墨烯纳米条波导(3.1)与所述第一石墨烯矩形谐振腔(4.1)的耦合长度为60nm；所述第二石墨烯纳米条波导(3.2)与所述第二石墨烯矩形谐振腔(4.2)的耦合长度为60nm。

6.根据权利要求5所述的基于双石墨烯矩形谐振腔边耦合波导的逻辑或门装置，其特征在于：所述第一石墨烯纳米条波导(3.1)与所述第二石墨烯纳米条波导(3.2)的间距为

20nm；激发表面等离子体激元的偶极子距离所述石墨烯矩形谐振腔(4)的中心的距离为

150nm；所述石墨烯矩形谐振腔(4)的中心与探测器之间的间距为150nm。

7.根据权利要求6所述的基于双石墨烯矩形谐振腔边耦合波导的逻辑或门装置，其特征在于：本装置采用的石墨烯的弛豫时间为0.5ps；单层所述石墨烯的厚度为0.2nm。