1.一种硅基荧光薄膜生产设备，其特征在于，包括：框架（1），所述框架（1）的上方安装有罐体（2），所述罐体（2）内部的上方和下方分别设置有上极板（3）和下极板（4），所述上极板（3）和所述下极板（4）之间组合后的空腔为生长腔（5），所述下极板（4）的下方电性连接有加热结构（6），所述下极板（4）的上方设置有多个位于所述生长腔（5）内部的衬底（7），所述上极板（3）的上方电性连接有射频装置（8）；

所述罐体（2）外壁处的第一侧安装有支管组（9），所述支管组（9）的每根支管处均设置有质量流量计（905），所述罐体（2）外壁处的第二侧通过管道连通有液氮冷阱（10），所述液氮冷阱（10）远离所述罐体（2）的一侧连通有真空机组（11）；

其中，所述生长腔（5）用于存储电荷，并在施加射频电场时产生和激发等离子体。

2.根据权利要求1所述的一种硅基荧光薄膜生产设备，其特征在于，所述射频装置（8）由射频功率电源（801）和射频匹配器（802）组合而成，其中，所述射频功率电源（801）和所述射频匹配器（802）之间电性连接，所述射频功率电源（801）和所述上极板（3）之间电性连接。

3.根据权利要求1所述的一种硅基荧光薄膜生产设备，其特征在于，所述加热结构包括位于所述下极板（4）下方的加热板（601），所述加热板（601）的表面开设有若干加热槽（602），所述加热槽（602）内部套接有导热铜板（603），所述导热铜板（603）的底面固定连接有电热网（604）。

4.根据权利要求1所述的一种硅基荧光薄膜生产设备，其特征在于，所述衬底（7）位于下极板（4）的接地阳极处，所述衬底（7）朝向所述上极板（3）的一侧为粗糙表面。

5.根据权利要求1所述的一种硅基荧光薄膜生产设备，其特征在于，所述支管组（9）包括和所述罐体（2）之间连通的进气管（901），所述进气管（901）的进气口连通有螺旋管（903），螺旋管（903）的进气口连通有四根前驱反应气体支管（902），所述进气管（901）的周侧连通有L形管（904）。

6.根据权利要求1所述的一种硅基荧光薄膜生产设备，其特征在于，所述真空机组（11）包括旋片机械泵（1111）和机械增压泵（1112），所述旋片机械泵（1111）位于所述机械增压泵（1112）和所述液氮冷阱（10）之间，并且所述机械增压泵（1112）和所述液氮冷阱（10）之间通过管道连通。