2+ 5+ ‑

1.一种Cu 、Ta 和F 共掺杂TiO2巨介电陶瓷材料，其特征在于，结构通式为：(Cu1/3Ta2/3)0.1Ti0.9‑x/4O2‑xFx，其中x的取值为0.04～0.064。

2+ 5+

2.如权利要求1所述的Cu 、Ta 和F‑共掺杂TiO2巨介电陶瓷材料，其特征在于，x的取值为0.052。

2+ 5+ ‑

3.一种如权利要求1或2所述的Cu 、Ta 和F 共掺杂TiO2巨介电陶瓷材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、按照化学计量比，分别称取CuF2、Ta2O5、TiO2和CuO粉体原料，将称好的原料放入球磨罐中球磨，并干燥、研磨、过筛，得到原料混合物；

步骤二、将原料混合物放入氧化铝坩埚中，再将坩埚放在箱式炉中，在900～1100℃预烧1～4h，然后冷却至室温，再次经球磨、干燥、研磨、过筛，得到预烧粉；

步骤三、将预烧粉压片后置于管式炉中，在氮气气氛下，自室温升温至1200～1330℃，保温3～6h，然后冷却至室温；

步骤四、将烧结好的样品放入，置于箱式炉中，在空气气氛下，自室温升温至1000～2+ 5+ ‑

1150℃退火1～3h，然后冷却至室温，得到Cu 、Ta 和F共掺杂TiO2巨介电陶瓷材料。

2+ 5+ ‑

4.如权利要求3所述的Cu 、Ta 和F 共掺杂TiO2巨介电陶瓷材料的制备方法，其特征在于，步骤一和步骤二所述的球磨为以氧化锆球为磨球、去离子水为球磨介质，充分混合球磨6～9h。

2+ 5+ ‑

5.如权利要求3所述的Cu 、Ta 和F 共掺杂TiO2巨介电陶瓷材料的制备方法，其特征在于，步骤一和步骤二中所述的干燥为置于烘箱中在80～100℃下干燥24h。

2+ 5+ ‑

6.如权利要求3所述的Cu 、Ta 和F 共掺杂TiO2巨介电陶瓷材料的制备方法，其特征在于，步骤一和步骤二中所述的研磨为采用研钵研磨30～60min。

2+ 5+ ‑

7.如权利要求3所述的Cu 、Ta 和F 共掺杂TiO2巨介电陶瓷材料的制备方法，其特征在于，步骤一和步骤二中所述的过筛为过120～200目筛。

2+ 5+ ‑

8.如权利要求3所述的Cu 、Ta 和F 共掺杂TiO2巨介电陶瓷材料的制备方法，其特征在于，步骤三中所述的预烧粉压片为用磨具预压成直径8mm的圆柱状坯体后，然后在冷等静压机中用200MPa的压力下冷等静压3～5min。