1.一种基于石墨烯‑金属超表面的电控太赫兹宽频大相移动态移相器，由高阻硅基底(1)和位于高阻硅基底(1)上表面的二维阵列(2)组成；所述二维阵列(2)的边长为入射太赫兹波束直径的1.0 1.5倍；高阻硅基底(1)的长和宽均大于二维阵列(2)的长和宽；太赫兹波~从二维阵列(2)上方入射，穿过二维阵列(2)得到调制，并穿过高阻硅基底(1)后射出；其特征在于：所述二维阵列(2)的每个阵列单元包括3个沿着竖直方向并排的矩形金属框(21)、3个嵌入矩形金属框内的石墨烯矩形框(22)、3组位于石墨烯矩形框(22)内  的矩形金属块(23)和2个分别位于阵列单元左右两侧的矩形金属块(24)；

所述3个矩形金属框(21)沿着竖直方向排列，相邻的矩形金属框(21)上下两边相连接；

所述3个石墨烯矩形框(22)分别嵌入3个矩形金属框；

所述3组矩形金属块(23)每组包括4个大小相等的金属块，其中2个与石墨烯矩形框(22)的上边相连，另外两个与石墨烯矩形框(22)的下边相连；

所述2个矩形金属块(24)分别位于所述阵列单元两侧，并与中间矩形金属框(21)左右两边中部相连；

两个引出电极(25)位于二维阵列两侧，分别与直流电源的正、负电极相连接，且连接线路上有一个开关，两侧的电极(25)分别与二维阵列(2)左侧第一列最左侧的矩形金属块(24)和右侧最后一列最右侧的矩形金属块(24)相连接；

电极(25)连接直流电源的开关开启时，3个石墨烯矩形框(22)均为低电导率，即阵列单元的矩形金属框(21)与石墨烯矩形框(22)上下边相连接的矩形金属块(23)是阻断的；当电极连接直流电源的开关闭合时，石墨烯的费米能级改变，石墨烯矩形框(22)的电导率增加，即矩形金属框(21)与石墨烯矩形框(22)上下边相连接的矩形金属块(23)连通，此时移相器工作于相位调控状态。

2.根据权利要求1所述的基于石墨烯‑金属超表面的电控太赫兹宽频大相移动态移相器，其特征在于：所述直流电源的电压为12伏 24伏。

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3.根据权利要求1所述的基于石墨烯‑金属超表面的电控太赫兹宽频大相移动态移相器，其特征在于：所述二维阵列(2)中的一个阵列单元的纵向与横向长度均为100微米 104微米。

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4.根据权利要求1所述的基于石墨烯‑金属超表面的电控太赫兹宽频大相移动态移相器，其特征在于：所述矩形金属框(21)、矩形金属块均为金片、铝片或铜片中任意一种的金属片条，厚度为0.2微米 0.8微米。

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5.根据权利要求1所述的基于石墨烯‑金属超表面的电控太赫兹宽频大相移动态移相器，其特征在于：所述石墨烯矩形框(22)为单层石墨烯，厚度为1纳米。

6.根据权利要求4所述的基于石墨烯‑金属超表面的电控太赫兹宽频大相移动态移相器，其特征在于：所述矩形金属框(21)的纵向长度为29微米 31微米，横向长度为90微米 94微米，矩形~ ~金属框(21)的四条边的宽度为3微米 5微米。

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7.根据权利要求5所述的基于石墨烯‑金属超表面的电控太赫兹宽频大相移动态移相器，其特征在于：所述石墨烯矩形框(22)为单层石墨烯材料，厚度为1纳米，纵向长度为23微米 25微米，~横向长度80微米 88微米，组成矩形框的四条边的宽度为3微米 5微米。

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8.根据权利要求4所述的基于石墨烯‑金属超表面的电控太赫兹宽频大相移动态移相器，其特征在于：所述位于石墨烯矩形框(22)内的矩形金属块(23)，纵向长度为5.5微米 7.5微米，横向~长度为4微米 18微米,位于同一边的2个矩形金属块(23)之间的横向间隙宽度为4微米 16~ ~微米，分别位于上下两边的矩形金属块(23)之间的纵向间隙宽度为4微米 5微米。

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9.根据权利要求4所述的基于石墨烯‑金属超表面的电控太赫兹宽频大相移动态移相器，其特征在于：所述分别位于阵列单元左右两侧的矩形金属块(24)，纵向长度为6微米 10微米，横向~长度为3微米 5微米。

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