1.一种具有高散热性能的可控硅模块，其特征在于，包括：

可控硅阵列单元（1），其包括：若干可控硅器件组（10）；其中各所述可控硅器件组（10）包括：九个呈矩阵排布的可控硅器件（11），且形成轴心圈（111）、内圈（112）和外圈（113）；

若干水冷头单元（2），分别与相应可控硅器件组（10）贴合，且包括：上腔室（21）、下腔室（22）、喷流嘴（23）和触发块组（24）；其中所述喷流嘴（23）转动设置在上腔室（21）和下腔室（22）之间，以将上腔室（21）内的冷却介质导入下腔室（22）；

所述喷流嘴（23）被配置为在转动过程中，对下腔室（22）上内圈（112）对应的区域进行清理；以及所述喷流嘴（23）还被配置为在转动过程中，通过触发块组（24）的挤压改变喷射速度，以对下腔室（22）上外圈（113）对应的区域进行清理；

所述喷流嘴（23）的入口端（231）位于上腔室（21）内，第一出口端（232）位于下腔室（22）内；其中所述入口端（231）处套设有叶轮（233），所述叶轮（233）被配置为通过水冷管（3）内介质的冲刷带动喷流嘴（23）的第一出口端（232）公转；

所述第一出口端（232）的倾斜角度与内圈（112）相适配，所述第一出口端（232）被配置为在公转时，对下腔室（22）上内圈（112）对应的区域进行清理；以及所述第一出口端（232）的端部侧壁转动设置有下压板（234），所述下压板（234）的铰接部设置有卷簧（235），所述第一出口端（232）还被配置为在公转时，通过触发块组（24）挤压下压板（234）改变喷射速度，以对下腔室（22）上外圈（113）对应的区域进行清理。

2.如权利要求1所述的具有高散热性能的可控硅模块，其特征在于，所述触发块组（24）包括：若干触发块（240），所述触发块（240）包括：安装腔室（241）、升降块（242）和第一复位弹簧（243）；其中所述第一复位弹簧（243）的刚度大于所述卷簧（235）的刚度；

所述升降块（242）滑动设置在安装腔室（241）内，所述第一复位弹簧（243）位于安装腔室（241）内，且两端分别与安装腔室（241）、升降块（242）相抵以使升降块（242）凸出安装腔室（241）；

所述第一出口端（232）被配置为在公转时，通过升降块（242）的挤压改变第一出口端（232）的喷射速度。

3.如权利要求2所述的具有高散热性能的可控硅模块，其特征在于，各所述触发块（240）中的升降块（242）长度相同，以对下腔室（22）上外圈（113）对应的区域进行清理。

4.如权利要求3所述的具有高散热性能的可控硅模块，其特征在于，所述水冷管（3）内设置有阀板（31），所述阀板（31）的一端伸入压力腔室（32）内，另一端与第二复位弹簧（33）相连；

所述阀板（31）被配置为根据压力腔室（32）内的气压大小调节伸出长度，即通过阀板（31）的伸出长度调节水冷管（3）内介质的流速，以改变第一出口端（232）的公转速度。

5.如权利要求4所述的具有高散热性能的可控硅模块，其特征在于，各所述安装腔室（241）均通过一气道（244）与压力腔室（32）连通；

所述第一出口端（232）的转动侧设置有凸块（236）；

所述凸块（236）被配置为在第一出口端（232）转动过程中，通过挤压升降块（242）使安装腔室（241）加压，即增加压力腔室（32）的气压以使阀板（31）后退，从而通过降低水冷管（3）内介质的流速使第一出口端（232）的公转速度降低。

6.如权利要求5所述的具有高散热性能的可控硅模块，其特征在于，所述喷流嘴（23）还包括：位于下腔室（22）内的第二出口端（237）；

所述第二出口端（237）朝向下腔室（22）上轴心圈（111）对应的区域进行清洁。

7.一种如权利要求1‑6任一项所述的具有高散热性能的可控硅模块的工作方法，其特征在于，包括：通过水冷管（3）内介质对叶轮（233）的冲刷以使喷流嘴（23）转动；

通过喷流嘴（23）的转动使第一出口端（232）与触发块组（24）相配合以对下腔室（22）上各可控硅器件（11）对应的区域进行清洁。

8.如权利要求7所述的具有高散热性能的可控硅模块的工作方法，其特征在于，所述通过喷流嘴（23）的转动使第一出口端（232）对下腔室（22）上各可控硅器件（11）对应的区域进行清洁的方法包括：通过第一出口端（232）在未受压状态下对下腔室（22）上内圈（112）对应的区域进行清洁；

通过触发块组（24）的挤压改变第一出口端（232）的喷射速度，使第一出口端（232）对下腔室（22）上外圈（113）对应的区域进行清洁。