1.基于LTCC技术的小型化超宽带高通滤波器加陷波一体化芯片，其特征在于：使用LTCC工艺技术实现芯片的立体三维集成，包括基体、外电极、滤波电路模块、陷波器模块；

所述外电极包括输入端、输出端和接地端；

所述滤波电路模块和陷波器模块设置在基体内部；

所述滤波电路模块包括第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第五电容、第六电容、第七电容、第八电容、第一电感、第二电感、第三电感和第四电感，所述第一电容的一端通过第一过孔与所述输入端连接，所述第一电容的另一端通过第二过孔与所述第三电容的一端连接，同时所述第三电容的两端分别通过第三过孔和第四过孔与所述第五电容的两端并联连接构成第一等效电容，所述第七电容的一端通过第五过孔与所述第五电容的一端连接，使第一电容、第一等效电容、第七电容形成串联连接；所述输入端同时通过第一过孔与所述第二电容的一端连接，所述第二电容的另一端通过第十三过孔与所述第一电感的一端连接构成串联谐振结构形成第一零点，所述第四电容的一端通过第六过孔与所述第三电容的一端连接，所述第四电容的另一端通过第十四过孔与所述第二电感的一端连接构成串联谐振结构形成第二零点，所述第六电容的一端通过第七过孔与所述第五电容的一端连接，所述第六电容的另一端通过第十五过孔与所述第三电感的一端连接构成串联谐振结构形成第三零点，所述第八电容的一端通过第八过孔与所述第七电容的一端连接，所述第八电容的另一端通过第十六过孔与所述第四电感的一端连接构成串联谐振结构形成第四零点，所述第一至第四电感的另一端分别通过第二十五至二十八过孔与第一接地层连接，使第一至第四电感形成并联连接；

所述陷波器模块包括第一耦合器、第二耦合器、第三耦合器，所述第一耦合器、第二耦合器、第三耦合器依次串联连接；

所述第一接地层与接地端相连。

2.根据权利要求1所述的基于LTCC技术的小型化超宽带高通滤波器加陷波一体化芯片，其特征在于，所述滤波电路模块与陷波器模块之间通过对地滤波去耦电容连接，以削弱滤波电路模块与陷波器模块之间的耦合作用并实现阻抗匹配。

3.根据权利要求2所述的基于LTCC技术的小型化超宽带高通滤波器加陷波一体化芯片，其特征在于，所述芯片包括多层LTCC陶瓷基板及对应设置在所述LTCC陶瓷基板上的电路层。

4.根据权利要求3所述的基于LTCC技术的小型化超宽带高通滤波器加陷波一体化芯片，其特征在于，所述滤波电路模块有十一层，所述第一电容、第三电容、第五电容、第七电容设置在芯片三维电路的第一、二、三层，所述第二电容、第四电容、第六电容、第八电容设置在芯片三维电路的第四、五、六、七层，所述第一电感、第二电感、第三电感、第四电感设置在芯片三维电路的第八、九、十层，芯片三维电路的第十一层为接地层。

5.根据权利要求4所述的基于LTCC技术的小型化超宽带高通滤波器加陷波一体化芯片，其特征在于，所述第一至第八电容均采用并联叠层技术，以缩小电容所占体积大小，实现芯片小型化搭建。

6.根据权利要求4所述的基于LTCC技术的小型化超宽带高通滤波器加陷波一体化芯片，其特征在于，所述第一至第四电感均采用叠层型结构，不同介质层上的金属线圈通过过孔连接。

7.根据权利要求3所述的基于LTCC技术的小型化超宽带高通滤波器加陷波一体化芯片，其特征在于，所述陷波器模块有十层，所述第一耦合器设置在芯片三维电路的第十二、十三层，所述第二耦合器设置在芯片三维电路的第十五、十六、十七层，所述第一耦合器设置在芯片三维电路的第十九、二十层，芯片三维电路的第十四、十八、二十一层为接地层。

8.根据权利要求7所述的基于LTCC技术的小型化超宽带高通滤波器加陷波一体化芯片，其特征在于，所述第一至第三耦合器均采用平行耦合带状线结构，其中，所述第一耦合器和第三耦合器均为二段平行耦合线，所述第二耦合器为三段平行耦合线。

9.根据权利要求8所述的基于LTCC技术的小型化超宽带高通滤波器加陷波一体化芯片，其特征在于，所述第一至第三耦合器所在介质层均设有隔离墙，所述隔离墙与所述接地端相连，用以将耦合传输线级与级之间、级与其他器件分隔开，避免产生其他耦合效应。

10.根据权利要求3所述的基于LTCC技术的小型化超宽带高通滤波器加陷波一体化芯片，其特征在于，所述电路层材质均为金属，所属LTCC陶瓷基板均采用介电常数7.5、介质损耗角正切0.003的LTCC介质基板。