1.基于UV涂覆技术的麻醉穿刺针电解加工杂散腐蚀抑制方法，其特征在于，包括：S1、建立麻醉穿刺针的电场仿真模型；

S1包括：

S101、建立麻醉穿刺针和实际加工使用的阴极刀具的三维模型；

S102、对麻醉针、阴极刀具与两者之间的电解液进行网格划分，建立电场模型并在软件中设置电场模型相关参数，再计算阴极刀具与麻醉穿刺针之间的电场强度，并得到麻醉穿刺针的针体表面各点的电场强度分布；所述电场模型相关参数包括电解液电导率、阴阳极表面平衡点位、阴阳极表面的交换电流密度和模拟加工初始状态时麻醉穿刺针表面的电场强度值；

S103、根据所述电场强度分布，绘制电场强度等值线图；

S2、根据预设电场强度阈值和所述电场仿真模型，确定第一目标涂覆区域；所述第一目标涂覆区域为所述电场仿真模型中电场强度大于所述预设电场强度阈值的区域；

S3、对所述第一目标涂覆区域的边界选取关键节点，并根据所述关键节点进行NURBS曲线拟合，生成光滑曲线边界；

S4、判断所述光滑曲线边界所对应的第二目标涂覆区域是否覆盖所述第一目标涂覆区域，若是，则对第二目标涂覆区域进行UV绝缘层的涂覆操作；若否，则调整所述关键节点的权重，重新生成光滑曲线边界直至光滑曲线边界所对应的第二目标涂覆区域覆盖所述第一目标涂覆区域，并对第二目标涂覆区域进行UV绝缘层的涂覆操作。

2.根据权利要求1所述的基于UV涂覆技术的麻醉穿刺针电解加工杂散腐蚀抑制方法，其特征在于，S3中，所述关键节点为第一目标涂覆区域的边界中的尖点、拐点位置。

3.根据权利要求2所述的基于UV涂覆技术的麻醉穿刺针电解加工杂散腐蚀抑制方法，其特征在于，S4中，所述对第二目标涂覆区域进行UV绝缘层的涂覆操作，包括：将麻醉穿刺针固定并暴露在UV墨水喷涂装置下；

通过所述UV墨水喷涂装置将UV墨水均匀地涂覆在第二目标涂覆区域内；

使用强紫外灯对第二目标涂覆区域进行照射，UV墨水在紫外光照射下进行固化，形成UV绝缘层。

4.根据权利要求3所述的基于UV涂覆技术的麻醉穿刺针电解加工杂散腐蚀抑制方法，其特征在于，还包括：S5、对具有UV绝缘层的麻醉穿刺针完成电解加工后，通过乙醇浸泡和使用硬度低于穿刺针材质的薄片刮除UV绝缘层。

5.基于UV涂覆技术的麻醉穿刺针电解加工杂散腐蚀抑制系统，其特征在于，用于执行权利要求1至4任一所述的方法，包括：建立模块，用于建立麻醉穿刺针的电场仿真模型；

确定模块，用于根据预设电场强度阈值和所述电场仿真模型，确定第一目标涂覆区域；

所述第一目标涂覆区域为所述电场仿真模型中电场强度大于所述预设电场强度阈值的区域；

生成模块，用于对所述第一目标涂覆区域的边界选取关键节点，并根据所述关键节点进行NURBS曲线拟合，生成光滑曲线边界；

判断模块，用于判断所述光滑曲线边界所对应的第二目标涂覆区域是否覆盖所述第一目标涂覆区域，若是，则对第二目标涂覆区域进行UV绝缘层的涂覆操作；若否，则调整所述关键节点的权重，重新生成光滑曲线边界。

6.一种计算机存储介质，其特征在于，所述计算机存储介质内存储有计算机程序；所述计算机程序在计算机上运行时，使得计算机执行权利要求1至4任一所述的方法。