1.一种具有异质结构的自支撑催化电极，其特征在于：包括碳布以及垂直负载于所述碳布表面的纳米片，所述纳米片为铜颗粒修饰的钴铜双氢氧化物纳米片阵列。

2.根据权利要求1所述的一种具有异质结构的自支撑催化电极，其特征在于：所述纳米片的长度为20～300nm，所述纳米片的宽度为20～500nm。

3.根据权利要求1所述的一种具有异质结构的自支撑催化电极，其特征在于：所述纳米片存在条纹间距为0.181nm的Cu(200)晶面和条纹间距为0.256nm的CoCu LDH(009)晶面，其中Cu(200)晶面和CoCu LDH(009)晶面之间存在异质界面。

4.一种权利要求1至3任意一项所述的一种具有异质结构的自支撑催化电极的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)将可溶性铜盐和可溶性钴盐加入到水中混合均匀得到盐溶液；

(2)以碳布作为工作电极，以饱和银/氯化银电极作为参比电极，以铂片电极或石墨棒电极作为对电极，将步骤(1)的盐溶液作为电解液，构建三电极体系的电解槽，向所述工作电极施加恒定电流进行电化学沉积，得到预置电极；

(3)用乙醇和蒸馏水将所述预置电极依次交替超声清洗，真空干燥，得到所述具有异质结构的自支撑催化电极。

5.根据权利要求4所述的一种具有异质结构的自支撑催化电极的制备方法，其特征在于：步骤(1)中，所述可溶性铜盐与所述可溶性钴盐的摩尔比为1：1～5。

6.根据权利要求4所述的一种具有异质结构的自支撑催化电极的制备方法，其特征在于：步骤(1)中，所述可溶性铜盐选自硝酸铜、氯化铜、硫酸铜中的至少一种；

所述可溶性钴盐选自硝酸钴、氯化钴、硫酸钴中的至少一种。

7.根据权利要求4所述的一种具有异质结构的自支撑催化电极的制备方法，其特征在‑2于：步骤(2)中，所述电化学沉积的过程中，施加的恒定电流密度为‑40～‑120mA cm ，施加恒定电流的时间为300～600s。

8.根据权利要求4所述的一种具有异质结构的自支撑催化电极的制备方法，其特征在于：步骤(3)中，用乙醇和蒸馏水将所述预置电极依次交替超声清洗的次数≥3次。

9.根据权利要求4所述的一种具有异质结构的自支撑催化电极的制备方法，其特征在于：所述真空干燥的温度为60～80℃，所述真空干燥的时间为30～60min。

10.一种权利要求1至3任意一项所述的具有异质结构的自支撑催化电极或根据权利要求4至9任意一项所述的制备方法得到的具有异质结构的自支撑催化电极在同步电催化硝酸根还原制氨和聚对苯二甲酸乙二醇酯水解液氧化制甲酸盐中的应用。