1.一种光辅助硒化铋拓扑绝缘体材料二氧化氮传感装置，包括基底、叉指电极、硒化铋拓扑绝缘体材料层，所述叉指电极置于所述基底上，所述硒化铋拓扑绝缘体材料层覆盖所述叉指电极，其特征在于，还包括紫外光源，所述紫外光源发出紫外光，所述紫外光照射所述硒化铋拓扑绝缘体材料层；还包括二氧化钛纳米颗粒，所述二氧化钛纳米颗粒分散在所述硒化铋拓扑绝缘体材料层中，所述二氧化钛纳米颗粒的尺寸不均匀。

2.如权利要求1所述的光辅助硒化铋拓扑绝缘体材料二氧化氮传感装置，其特征在于：所述基底的材料为二氧化硅或三氧化二铝，所述叉指电极的材料为金或铂。

3.如权利要求1所述的光辅助硒化铋拓扑绝缘体材料二氧化氮传感装置，其特征在于：所述紫外光的波长为365纳米。

4.如权利要求1所述的光辅助硒化铋拓扑绝缘体材料二氧化氮传感装置，其特征在于：所述硒化铋拓扑绝缘体材料层为硒化铋纳米片。

5.如权利要求4所述的光辅助硒化铋拓扑绝缘体材料二氧化氮传感装置，其特征在于：所述硒化铋纳米片的直径大于200纳米、小于1微米，所述硒化铋纳米片的厚度大于3纳米、小于20纳米。

6.如权利要求1所述的光辅助硒化铋拓扑绝缘体材料二氧化氮传感装置，其特征在于：所述二氧化钛纳米颗粒的尺寸大于10纳米、小于100纳米。

7.如权利要求1所述的光辅助硒化铋拓扑绝缘体材料二氧化氮传感装置，其特征在于：所述紫外光倾斜照射所述硒化铋拓扑绝缘体材料层的表面。

8.如权利要求7所述的光辅助硒化铋拓扑绝缘体材料二氧化氮传感装置，其特征在于：所述倾斜的角度大于30度、小于60度。