1.一种表面富硒的Sb2(S,Se)3薄膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：S1、将酒石酸锑钾与硫源混合反应得到Sb2S3前驱液；

S2、采用化学水浴法沉积Sb2S3薄膜至预设厚度后，将Se源通过蠕动泵泵入Sb2S3前驱液内，并调控沉积薄膜的S‑Se元素梯度分布，反应结束后干燥得到Sb2(S,Se)3前驱膜；

S3、将Sb2(S,Se)3前驱膜进行退火处理，得到表面富硒的Sb2(S,Se)3薄膜，所述Sb2(S,Se)3薄膜的表面富Se元素，底部富S元素。

2.如权利要求1所述的一种表面富硒的Sb2(S,Se)3薄膜的制备方法，其特征在于：步骤S2中将Se源通过蠕动泵泵入Sb2S3前驱液内，并调控沉积薄膜的S‑Se元素梯度分布具体包括：调节Se源浓度，并通过蠕动泵将Se源以0.001‑0.5ml/min的速度泵入Sb2S3前驱液内，泵入时间为1‑3h，以实现沉积薄膜的S‑Se元素梯度分布。

3.如权利要求2所述的一种表面富硒的Sb2(S,Se)3薄膜的制备方法，其特征在于：步骤S2中，所述Se源包括Na2SeSO3溶液和/或CH4N2Se溶液，所述Na2SeSO3溶液的浓度为0.1‑‑3 ‑2

0.3mol/L，所述CH4N2Se溶液的浓度为2×10 ~2×10  mol/L。

4.如权利要求1所述的一种表面富硒的Sb2(S,Se)3薄膜的制备方法，其特征在于：步骤S1中具体包括：将KSbC4H4O7•0.5H2O、Na2S2O3·5H2O及C2H5NS在25‑27℃下溶于水中，搅拌速率为300‑900r/min，搅拌时间为5‑10min，得到Sb2S3前驱液，所述KSbC4H4O7•0.5H2O、Na2S2O3·5H2O及C2H5NS的摩尔比为2~5:10~20:1~5。

5.如权利要求1所述的一种表面富硒的Sb2(S,Se)3薄膜的制备方法，其特征在于：步骤S2中，化学水浴反应的温度为60‑95℃，时间为2‑6h；步骤S3中，退火的温度为300‑500℃，退火时间为5‑15min。

6.一种表面富硒的Sb2(S,Se)3薄膜，其特征在于：所述Sb2(S,Se)3薄膜采用权利要求1‑5任一项所述的制备方法制备得到，所述Sb2(S,Se)3薄膜自底部向表面，S元素含量呈梯度递减趋势，Se元素含量呈梯度递增趋势。

7.一种太阳能电池，其特征在于：由下至上，包括衬底、电子传输层、光吸收层、空穴传输层和阳极，所述光吸收层为如权利要求6所述的一种表面富硒的Sb2(S,Se)3薄膜。

8.如权利要求7所述的一种太阳能电池，其特征在于：所述Sb2(S,Se)3薄膜富S的一面靠近电子传输层，富Se的一面靠近空穴传输层。

9.如权利要求7所述的一种太阳能电池，其特征在于：所述太阳能电池的制备方法包括：（1）将Cd(NO3)2、CH4N2S溶于水，再与氨水混合并在25‑27℃下搅拌，在衬底表面采用化学水浴法制备电子传输层；

（2）采用CdCl2的无水甲醇溶液在电子传输层的表面进行旋涂处理，并在空气氛围下进行高温退火；

（3）在沉积有电子传输层的衬底上沉积表面富硒的Sb2(S,Se)3薄膜作为光吸收层；

（4）在光吸收层表面旋涂制备空穴传输层；

（5）在空穴传输层表面采用热蒸发沉积Au电极，得到所述太阳能电池。

10.如权利要求9所述的一种太阳能电池，其特征在于：步骤（1）中，Cd(NO3)2、CH4N2S、氨水的摩尔比为1 3:50 100:300 500, 化学水浴的温度为50 80℃，时间为10 30min。

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