1.一种宽频带调谐微带天线，其特征在于，包括包括从上而下依次设置的顶层金属层（1）、第一基片层（2）、中层金属层（3）、第二基片层（4）、底层金属层（5）；

顶层金属层（1）包括变容管加载的中心金属条带（101）、变容管和PIN二极管加载的四个外侧金属条带（102）；所述四个外侧金属条带（102）呈中心对称分布于所述中心金属条带（101）的四周，并通过与所述中心金属条带（101）并行的部分进行耦合；

各外侧金属条带（102）上分别连接有一组直流偏置分支，用于为外侧金属条带（102）上的变容二极管提供直流偏置回路，并用于为外侧金属条带（102）上的PIN二极管提供直流偏置回路；中心金属条带（101）的两端分别连接一个直流偏置分支，中心金属条带（101）的中间连接一个直流偏置分支，用于为中心金属条带（101）上的变容二极管提供直流偏置回路；

中层金属层（3）的中心存在一个矩形槽（301），该矩形槽位于中心金属条带（101）正下方；底层金属层（5）为由金属带线（501）组成的馈电金属结构，并且位于矩形槽（301）正下方位置；

金属带线（501）与第二基片层（4）、中层金属层（3）构成微带馈线；变容管加载的中心金属条带（101）、第一基片层（2）及中层金属层（3）构成变容管加载的中心微带；变容管和PIN二极管加载的四个外侧金属条带（102）、第一基片层（2）及中层金属层（3）分别构成变容管和PIN二极管加载的四个外侧微带；

信号从端口馈入至微带馈线，而后通过矩形槽（301）耦合激励变容管加载的中心微带，再耦合至变容管和PIN二极管管加载的四个外侧微带，在整体结构包括直流偏置分支及隔直电容的作用下，形成宽频带调谐的微带天线；所述中心微带工作在TM01模式，与所述四个外侧微带耦合，整体形成等效电长度可调的对称分叉式同向电流。

2.根据权利要求1所述的宽频带调谐微带天线，其特征在于，所述中心微带包括长度为

0.24~0.28λ0的中心金属条带，两个变容二极管Cv1嵌入所述中心金属条带，嵌入点与中心金属条带两端的距离为0.02~0.06λ0，λ0为最高频率处对应的自由空间波长。

3.根据权利要求2所述的宽频带调谐微带天线，其特征在于，所述外侧微带包括长度为

0.28~0.32λ0的外侧金属条带，所述外侧金属条带与所述中心金属条带的并行长度为0.1~

0.12λ0；一个PIN二极管嵌入在所述外侧金属条带靠近所述中心金属条带的位置，嵌入点与所述外侧金属条带相近的一端距离在0.09~0.13λ0；一个变容二极管Cv2嵌入在所述外侧金属条带远离所述中心金属条带的位置，嵌入点与所述外侧金属条带相近的一端距离在0.04~0.08λ0。

4.根据权利要求3所述的宽频带调谐微带天线，其特征在于，当所述PIN二极管均在导通状态，所述变容二极管Cv1和变容二极管Cv2大于等于7 pF时，所述对称分叉式同向电流获得阻抗匹配条件下的最长等效电流，对应整体天线的最低频率边向辐射；并且，所述对称分叉式同向电流的等效电长度随着所述变容二极管Cv1和变容二极管Cv2的容值减少而缩短，对应整体天线边向辐射的工作频率上升；当所述PIN二极管均关断，所述变容二极管Cv1和变容二极管Cv2小于等于0.1 pF时，所述对称分叉式同向电流获得阻抗匹配条件下的最短等效电流，对应整体天线的最高频率边向辐射。