1.一种基于熔体近场直写技术的管状支架制备方法，其特征在于包括如下步骤：步骤一：通过对管状支架结构设计进行解构，将其从三维立体结构展开为二维平面形式；步骤二：在所述步骤一中展开的二维平面图上标注出路径轨迹，根据其路径轨迹，将二维平面整体结构拆解为多个相同的单元，通过对单元进行循环复制，构建二维平面整体结构；步骤三：通过所述步骤二中拆解的单元，设立相应的参数；构建每个单元内参数和路径轨迹之间的数学映射关系，通过数学算法将参数的变化映射到路径轨迹的相应变化上，以此描述和连接所设计的管状支架结构和打印过程中的路径；在数学映射关系的辅助下通过编程软件对单元循环复制；步骤四：选用高分子聚合物材料，采用熔体近场直写设备制备管状支架；

通过二维平面展开的形式，将管状支架的立体打印转化为平面打印，将接收管的旋转速度等同于平面打印中Y轴平移速度，仅通过控制编程软件中的速度即可匹配X和Y轴的合速度，无需分别计算X轴平移速度和接收管的旋转速度，即采用等同平面打印的k*临界平移速度进行打印k∈（1～1.25）。

2.根据权利要求1所述的一种基于熔体近场直写技术的管状支架制备方法，其特征在于：所述步骤一，首先绘制出管状支架的立体图形，通过对管状支架结构设计进行解构，将立体图转化为二维平面形式。

3.根据权利要求1所述的一种基于熔体近场直写技术的管状支架制备方法，其特征在于：所述步骤一，二维平面形式为菱格、方格或自膨胀结构。

4.根据权利要求3所述的一种基于熔体近场直写技术的管状支架制备方法，其特征在于：所述步骤三，通过所述步骤二中拆解的单元，设立相应的参数；（1）菱格结构设定的参数包括接收管半径r，枢轴点个数n，循环数Rm，X轴移动距离LX，R轴单程移动距离LY，缠绕角角度θ；（2）方格结构设定的参数包括接收管半径r，R轴径向间隔LS，X轴移动距离LX，X轴方向单位移动距离Lunit，系数a；（3）自膨胀结构设定的参数包括收管半径r，路径长边p，路径短边q。

5.根据权利要求4所述的一种基于熔体近场直写技术的管状支架制备方法，其特征在于：所述步骤三，建立每个单元内参数和路径轨迹的数学映射关系，以此描述和连接所设计的支架结构和打印过程中的路径；（1）菱格结构参数之间的数学关系：循环数Rm即圈数由枢轴点个数n确定，R轴单程移动距离LY是接收管周长与循环数Rm的乘积，缠绕角角度θ是R轴移动距离LY与X轴移动距离LX的比值反正切；（2）方格结构参数之间的数学关系：X轴移动距离LX是X轴方向单位移动距离Lunit与系数a之间的乘积，R轴径向间隔LS与枢轴点个数n有关；

（3）自膨胀结构参数之间的数学关系：接收管周长与路径长边p，路径短边q之和的比值为整数。

6.根据权利要求5所述的一种基于熔体近场直写技术的管状支架制备方法，其特征在于：所述步骤三，基于数学映射关系，通过编程软件对单元进行循环复制，构建二维平面整体结构，生成运动控制系统可读取的指令，进行路径控制。

7.根据权利要求1所述的一种基于熔体近场直写技术的管状支架制备方法，其特征在于：所述步骤四，将高分子聚合物母粒装入纺丝注射器内，使用熔体近场直写技术制备管状支架；高分子聚合物母粒可为聚己内酯、聚氨酯、聚乳酸的其中的一种。

8.根据权利要求7所述的一种基于熔体近场直写技术的管状支架制备方法，其特征在于：若选用聚己内酯为材料，熔体近场直写的纺丝参数为：加热温度80 ℃，电压4.5 kV，气压0.2 MPa，接收距离2.5 mm，接收管半径为1.5 mm，不锈钢针头型号为25 G、其内径0.26 mm、其外径0.51 mm；若选用聚氨酯为材料，熔体近场直写的纺丝参数为：加热温度175 ℃，接收管温度60 ℃，电压4.5 kV，气压0.15 MPa，接收距离3 mm，接收管半径为1.5 mm，不锈钢针头型号为25 G，其内径0.26 mm、其外径0.51 mm；若选用聚乳酸为材料，熔体近场直写的纺丝参数为：加热温度185 ℃，接收管温度60 ℃，电压2.7 kV，气压0.05 MPa，接收距离

1.75 mm，接收管半径为1.5 mm，不锈钢针头型号为25 G，其内径0.26 mm、其外径0.51 mm。