1.一种基于三张光刻版解决电极短路问题的压电MEMS换能器制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）在硅晶圆上表面，由下至上依次制备下电极层、压电薄膜层和上电极层；

（2）在硅晶圆的下表面生长绝缘层；上电极层的表面生长绝缘层；

（3）分别对硅晶圆上表面和下表面使用1张光刻板进行第一轮光刻，暴露出上电极和下电极；

（4）分别在硅晶圆的上表面和下表面生长Au，镀在上电极表面和下电极表面；

（5）分别在硅晶圆的上表面和下表面使用1张光刻板进行第二轮光刻，上表面刻蚀至压电薄膜层，下表面刻蚀至下电极层；

步骤（3）中第一轮光刻的方法为：采用ICP工艺刻蚀硅晶圆上表面的绝缘层，暴露出上电极；然后采用Rapier工艺刻蚀硅晶圆的下表面，在对应上表面图形的位置形成背腔，暴露出下电极；Rapier工艺是深硅刻蚀工艺，进行硅的高深宽比刻蚀；

步骤（5） 中，第二轮光刻的方法为：使用一张光刻板光刻版在硅晶圆的上表面进行光刻，氯离子刻蚀Au，刻蚀至压电薄膜层，图形化后的上电极位于压电薄膜的中心区域，刻蚀后的Au通过图形化后的上电极收集压电薄膜中心电荷；使用另一张光刻板光刻版在硅晶圆的下表面进行光刻，氯离子刻蚀Au，刻蚀至下电极层，刻蚀后的Au位于下电极的边缘，收集压电薄膜边缘的电荷。

2.根据权利要求1所述的一种基于三张光刻版解决电极短路问题的压电MEMS换能器制备方法，其特征在于，步骤（1）在硅晶圆上表面采用磁控溅射或蒸发生长制备压电薄膜层。

3.根据权利要求1所述的一种基于三张光刻版解决电极短路问题的压电MEMS换能器制备方法，其特征在于，步骤（4）中Au生长的方式为磁控溅射或蒸发生长。