1.一种低介电高熵高Q值微波介质陶瓷材料，其特征在于，化学式为(Y0.2B0.2C0.2D0.2E0.2)2BaZn1‑xMgxO5，其中，B、C、D、E选自La系稀有元素中的一种，所述La系稀有元素包括Nd、Sm、Eu、Gd、Er、Tm与Yb，0＜x＜0.1。

2.根据权利要求1所述的一种低介电高熵高Q值微波介质陶瓷材料，其特征在于，所述一种低介电高熵高Q值微波介质陶瓷材料的介电常数为14 18，Q×f值为30,000到70,000 ~GHz之间，τf值为‑30 ‑8 ppm/℃。

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3.一种如权利要求1或2所述的一种低介电高熵高Q值微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：A、将原料Mg(OH)2·4MgCO3·5H2O、氧化钇、碳酸钡、氧化锌与所述La系稀有元素氧化物按照所述化学式摩尔比混合，得到混合物，备用；

B、一次球磨：以二氧化锆球为球磨介质，将步骤A中的混合物与二氧化锆球以及无水乙醇混匀进行研磨5 7小时得到混合均匀的球磨料；

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C、烘干与过筛：将步骤B所得球磨料烘干，并过100目筛得到干燥粉体；

D、预烧：将步骤C所得干燥粉体置于氧化铝坩埚中，预烧得到预烧粉体；

E、二次球磨：将步骤D所得预烧粉体进行第二次球磨，以二氧化锆球为球磨介质，将预烧粉体与二氧化锆球以及无水乙醇混匀进行研磨2 4小时得到二次球磨料；

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F、烘干、过筛：将步骤E所得二次球磨料烘干并过100目筛得到干燥粉体；

G、造粒、模压成型：将步骤F所得干燥粉体与聚乙烯醇水溶液混合后造粒，造粒尺寸控制在80 100目，将粒料放入成型模具中干压成型得到生坯；

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H、烧结：将步骤G所得生坯放于烧结炉中，烧结、退火得到低介电高熵高Q值微波介质陶瓷材料。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，在步骤B中，所述混合物、二氧化锆球与无水乙醇的质量比为1:（5 7）:（2 4）。

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5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，在步骤D中，所述预烧温度为900 1000~℃，预烧时间为3 5小时。

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6.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，在步骤E中，所述预烧粉体、二氧化锆球以及无水乙醇的质量比为1:（3 5）:（1 2）。

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7.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，在步骤H中，所述烧结炉以3 5 ℃/min~的升温速率升温，并在1250 1350 ℃下烧结6 10小时，再以3℃/min速率降温到850℃，退火~ ~

4h得到低介电高熵高Q值微波介质陶瓷材料。