1.一种高热导率氮化硅陶瓷的制备方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：①、选取α‑Si3N4、β‑Si3N4粉末和烧结助剂粉末为原料；

②、将上述①中选取的混合粉末原料按照一定的比例进行配料，真空球磨24‑48h充分湿混后，利用真空干燥箱中烘干得到混合原料；

③、将②中获得的混合原料预压成型，装入石墨模具中，通过热压烧结炉在低压环境下对混合粉体进行高温处理后，再次添加混合原料进行二次真空球磨；

④、将③中获得的二次球磨混合原料预压成型，组装叶腊石复合块，利用六面顶液压机在高温高压下烧结，完成高热导率氮化硅陶瓷的制备。

2.根据权利要求1所述的一种高热导率氮化硅陶瓷的制备方法，其特征在于：步骤①中，所述原料和烧结助剂均为纳米级或微米级粉末材料，单一粒度或多种粒度的混合，α‑Si3N4和β‑Si3N4的质量比为0‑4.0：1，α‑Si3N4和β‑Si3N4混合物与烧结助剂的质量比为1：

0.01‑0.1。

3.根据权利要求1所述的一种高热导率氮化硅陶瓷的制备方法，其特征在于：步骤③中，所述的热压烧结炉低压环境为0‑30MPa，高温处理温度为1500‑2000℃，处理时间为

20min‑1h。

4.根据权利要求1所述的一种高热导率氮化硅陶瓷的制备方法，其特征在于：步骤③中，所述的二次球磨为真空高能球磨，球磨时间为10min‑1h。

5.根据权利要求1所述的一种高热导率氮化硅陶瓷的制备方法，其特征在于：步骤④中，所述的二次球磨混合原料经过40MPa预压成型，将二次原料块装进石墨管中，石墨管放入叶腊石复合块腔体中，在六面顶压机上进行高温高压烧结，烧结条件为4.5‑5.6GPa，

1350‑1600℃，烧结保温时间为10min‑2h。

6.根据权利要求1所述的一种高热导率氮化硅陶瓷的制备方法，其特征在于：步骤①中，所述烧结助剂为MgF2或YF3或Si或其混合粉末。

7.根据权利要求1‑6中任何一种高热导率氮化硅陶瓷的制备方法制备的氮化硅陶瓷用于制造刀具。

8.根据权利要求1‑6中任何一种高热导率氮化硅陶瓷的制备方法制备的氮化硅陶瓷用于制造导热基板。