1.一种氮化硅或硼掺杂氮化硅基非晶陶瓷的高压制备方法，其特征在于：包括以下步骤：S1：利用聚合物转化法制备得到不同硅硼元素比例的非晶陶瓷粉体；S2：将步骤S1制备得到的非晶陶瓷粉体进行预加工处理后得到原料块体；S3：将所述步骤S2得到的所述原料块体通过金属钼箔包裹后装入六面顶压机的合成腔室中，进行加热加压并保温保压，之后冷却卸压，得到非晶氮化硅或硼掺杂氮化硅基陶瓷材料；所述步骤S3中，所述加热加压的条件为：在压力为5GPa、温度为1000‑1200℃的条件下保温15min、保压20min。

2.根据权利要求1所述的氮化硅或硼掺杂氮化硅基非晶陶瓷的高压制备方法，其特征在于：所述步骤S1中，所述非晶陶瓷粉体通过全氢聚硅氮烷和硼烷改性的全氢聚硅氮烷为聚合体在1100℃下制备而得。

3.根据权利要求1所述的氮化硅或硼掺杂氮化硅基非晶陶瓷的高压制备方法，其特征在于：所述步骤S2中，所述预加工处理的条件为：将所述非晶陶瓷粉体通过冷压加工为圆柱体。

4.根据权利要求1所述的氮化硅或硼掺杂氮化硅基非晶陶瓷的高压制备方法，其特征在于：所述步骤S3中，所述腔室的加热方式为：将所述原料块体置于样品坩埚后，通电石墨对所述样品坩埚进行加热，且所述样品坩埚的上下两端通过氧化镁进行保温，所述样品坩埚的左右两端直接与石墨接触。

5.根据权利要求4所述的氮化硅或硼掺杂氮化硅基非晶陶瓷的高压制备方法，其特征在于：所述样品坩埚上下两端的石墨厚度小于所述样品坩埚侧壁的石墨。

6.根据权利要求1所述的氮化硅或硼掺杂氮化硅基非晶陶瓷的高压制备方法，其特征在于：所述步骤S3中，所述冷却卸压的方式为：待保温结束后，等待样品自然冷却至室温后卸压。

7.一种氮化硅或硼掺杂氮化硅基非晶陶瓷，其特征在于：所述氮化硅或硼掺杂氮化硅基非晶陶瓷由权利要求1‑6任意一项制备方法制备而得。