1.一种用于光伏并网的多电平逆变器拓扑结构,其特征在于,包括前级变换模块和电网输出模块;
所述前级变换模块包括输入直流电压Vin;输入电抗Lin、单向功率半导体开关管S1、单向功率半导体开关管S2、单向功率半导体开关管S3、单向功率半导体开关管S4、单向功率半导体开关管S5、单向功率半导体开关管S6、单向功率半导体开关管S7、单向功率半导体开关管S8、单向功率半导体开关管S9、单向功率半导体开关管S10、单向功率半导体开关管S11;二极管D1、二极管D2、二极管D3;开关电容器CA、开关电容器CB和开关电容器CC;任何一个单向功率半导体开关均由一个IGBT和一个反并联的二极管组成;
所述电网输出模块包括输出电感LF和输出电压Vg;
所述直流电压Vin正极一端连接单向功率半导体开关管S1的集电极,另一端接地;
所述单向功率半导体开关管S1的集电极连接输入电压Vin的正极,其发射极连接单向功率半导体开关管S2的集电极和输入电抗Lin;
所述单向功率半导体开关管S2的集电极连接单向功率半导体开关管S1的发射极和输入电抗Lin,其发射极连接二极管D3的阳极并接地;
所述输入电抗Lin的一端连接单向功率半导体开关管S1和S2,另一端连接单向功率半导体开关管S3的集电极和开关电容器CA的正极;
所述二极管D3的阴极连接开关电容器CA的负极和单向功率半导体开关管S4的发射极;
所述单向功率半导体开关管S3的发射极连接单向功率半导体开关管S5的集电极和二极管D1的阴极;
所述单向功率半导体开关管S4的集电极连接单向功率半导体开关管S6的发射极和二极管D2的阴极,其发射极连接二极管D3的阳极和开关电容器CA的负极;
所述单向功率半导体开关管S5的发射极连接二极管D2的阳极和开关电容器CB的负极;
所述单向功率半导体开关管S6的集电极连接二极管D1的阴极和单向功率半导体开关管S7的集电极;
所述单向功率半导体开关管S7的集电极连接单向功率半导体开关管S6的集电极和二极管D1的阴极,其发射极连接开关电容器CB的正极和单向功率半导体开关管S8的集电极;
所述单向功率半导体开关管S8的集电极连接单向功率半导体开关管S7的发射极和开关电容器CB的正极,其发射极连接所述开关电容器CC的负极和单向功率半导体开关管S9的集电极;
所述开关电容器CC的正极连接单向功率半导体开关管S7以及单向功率半导体开关管S10的集电极,负极连接单向功率半导体开关管S8的发射极和单向功率半导体开关管S9的集电极;
所述单向功率半导体开关管S9的发射极连接开关电容器CB的负极和单向功率半导体开关管S11的发射极以及二极管D2的阳极和单向功率半导体开关管S5的发射极,其集电极连接单向功率半导体开关管S8的发射极和开关电容器CC的负极;
所述单向功率半导体开关管S10的发射极连接输出电感LF和单向功率半导体开关管S11的集电极,其集电极连接开关电容器CC的正极;
所述单向功率半导体开关管S11的发射极连接二极管D2的阳极和单向功率半导体开关管S5的发射极以及开关电容器CB的负极和单向功率半导体开关管S9的发射极;
所述输出电感LF一端连接单向功率半导体开关管S10的发射极和单向功率半导体开关管S11的集电极,另一端连接输出电压Vg。
2.根据权利要求1所述的一种用于光伏并网的多电平逆变器拓扑结构,其特征在于,共有七种电平输出模式,定义开关函数为单向功率半导体开关管导通为1,关闭为0;定义11个单向功率半导体开关管的状态变量矩阵为[S1、S2、S3、S4、S5、S6、S7、S8、S9、S10、S11],所述一种用于光伏并网的逆变器共有7种有效输出状态,分别为[1、0、1、0、1、0、0、1、0、1、0]、[1、0、1、
0、1、0、1、0、0、1、0]、[1、0、1、1、0、0、1、0、1、1、0]、[1、0、1、1、0、0、1、0、1、0、1]、[1、0、0、1、0、
1、1、0、0、0、1]、[0、1、0、1、0、1、0、0、1、0、1]、[0、1、0、1、0、1、0、1、0、0、1]。
3.根据权利要求1所述的一种用于光伏并网的多电平逆变器拓扑结构,其特征在于,所述单向功率半导体开关管的状态变量矩阵为[1、0、1、0、1、0、0、1、0、1、0]时为正向高电平输出状态,输出电压满足Vo=Vin+VCB+VCC=3Vin其中Vo为输出电压,Vin为输入电压,VCB和VCC分别为开关电容器CB和开关电容器CC的电压;
开关电流应力配置为
is3=is5=is8=is10=ig(t)ig(t)=imaxsin(ωt)
is1=iin=iccA+ig(t)其中,is1、is3、is5、is8、is10分别为单向功率半导体开关管S1、S3、S5、S8、S10的电流,ig(t)为电网电流,iin为输入电流,imax为电网电流峰值,ω为电网角频率,iccA为开关电容器CA的充电电流。
4.根据权利要求1所述的一种用于光伏并网的多电平逆变器拓扑结构,其特征在于,所述单向功率半导体开关管的状态变量矩阵为[1、0、1、0、1、0、1、0、0、1、0]时为正向中电平输出状态,输出电压满足Vo=Vin+VCB=2Vin
其中Vo为输出电压,Vin为输入电压,VCB为开关电容器CB的电压;
开关电流应力配置为
is3=is5=is7=is10=ig(t)is1=iin=iccA+ig(t)其中,is1、is3、is5、is7、is10分别为单向功率半导体开关管S1、S3、S5、S7、S10的电流,ig(t)为电网电流,iin为输入电流,imax为电网电流峰值,ω为电网角频率,iccA为开关电容器CA的充电电流。
5.根据权利要求1所述的一种用于光伏并网的多电平逆变器拓扑结构,其特征在于,所述单向功率半导体开关管的状态变量矩阵为[1、0、1、1、0、0、1、0、1、1、0]时为正向低电平输出状态,输出电压满足Vo=Vin
VCB=VCC=Vin
其中Vo为输出电压,Vin为输入电压,VCB和VCC分别为开关电容器CB和开关电容器CC的电压;
开关电流应力配置为
is3=is5=is7=is10=ig(t)ig(t)=imaxsin(ωt)
is1=iin=iccA+iα
iα=iccB=iccC+ig(t)iβ=iccB
iγ=iccC
其中,is1、is3、is5、is7、is10分别为单向功率半导体开关管S1、S3、S5、S7、S10的电流,ig(t)为电网电流,iin为输入电流,imax为电网电流峰值,ω为电网角频率,iccA、iccB、iccC分别为开关电容器CA、开关电容器CB、开关电容器CC的充电电流,iα为经单向功率半导体开关管S3向二极管D1的电流,iβ为经单向功率半导体开关管S7向开关电容器CB的电流,iγ经开关电容器CC向单向功率半导体开关管S9的电流。
6.根据权利要求1所述的一种用于光伏并网的多电平逆变器拓扑结构,其特征在于,所述单向功率半导体开关管的状态变量矩阵为[1、0、1、1、0、0、1、0、1、0、1]时为零电平输出状态,输出电压为零电平;
开关电流应力配置为
is11=ig(t)=imaxsin(ωt)is1=iin=iccA+iα
iα=iccB=iccC
iβ=iccB
iγ=iccC
其中,is1、is11分别为单向功率半导体开关管S1、S11的电流,ig(t)为电网电流,imax为电网电流峰值,iin为输入电流,ω为电网角频率,iccA、iccB、iccC分别为开关电容器CA、开关电容器CB、开关电容器CC的充电电流,iα为经单向功率半导体开关管S3向二极管D1的电流,iβ为经单向功率半导体开关管S7向开关电容器CB的电流,iγ经开关电容器CC向单向功率半导体开关管S9的电流。
7.根据权利要求1所述的一种用于光伏并网的多电平逆变器拓扑结构,其特征在于,所述单向功率半导体开关管的状态变量矩阵为[1、0、0、1、0、1、1、0、0、0、1]时为负向低电平输出状态,输出电压满足Vo=‑VCB=‑Vin
其中Vo为输出电压,Vin为输入电压,VCB为开关电容器CB的电压;
开关电流应力配置为
is4=is6=is7=is11=ig(t)ig(t)=imaxsin(ωt)
is1=iin=iccA
其中,is1、is4、is6、is7、is10分别为单向功率半导体开关管S1、S4、S6、S7、S11的电流,ig(t)为电网电流,iin为输入电流,imax为电网电流峰值,ω为电网角频率,iccA为开关电容器CA的充电电流。
8.根据权利要求1所述的一种用于光伏并网的多电平逆变器拓扑结构,其特征在于,所述单向功率半导体开关管的状态变量矩阵为[0、1、0、1、0、1、0、0、1、0、1]负向中电平输出状态,输出电压满足Vo=‑(VCA+VCC)=‑2Vin其中Vo为输出电压,Vin为输入电压,VCA、VCC为开关电容器CA、开关电容器CC的电压;
开关电流应力配置为
is2=is4=is6=is9=is11=ig(t)ig(t)=imaxsin(ωt)
其中,is2、is4、is6、is9、is11分别为单向功率半导体开关管S2、S4、S6、S9、S11的电流,ω为电网角频率,ig(t)为电网电流,imax为电网电流峰值。
9.根据权利要求1所述的一种用于光伏并网的多电平逆变器拓扑结构,其特征在于,所述单向功率半导体开关管的状态变量矩阵为[0、1、0、1、0、1、0、1、0、0、1]负向高电平输出状态,输出电压满足Vo=‑(VCA+VCB+VCC)=‑3Vin其中Vo为输出电压,Vin为输入电压,VCA、VCB和VCC分别为开关电容器CA、开关电容器CB和开关电容器CC的电压;
开关电流应力配置为
is2=is4=is6=is8=is11=ig(t)ig(t)=imaxsin(ωt)
其中,is2、is4、is6、is8、is11分别为单向功率半导体开关管S2、S4、S6、S8、S11的电流,ω为电网角频率,ig(t)为电网电流,imax为电网电流峰值。