1.一种基于电磁多极子共振的超表面近红外折射率传感器，其特征在于，包括超表面结构和红外传感器，所述超表面结构为矩形体，其包括由上至下依次设置的分析物放置层、中间层和基底；

所述分析物放置层，用于放置分析物，且分析物的折射率范围为1.00 2.00、分析物的~厚度为620 nm 760 nm；所述分析物将中间层包裹，并与基底接触；

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所述中间层包括均匀分布的多个缺陷介质纳米柱组，每个缺陷介质纳米柱组由四个缺陷介质纳米柱组成，所述缺陷介质纳米柱为圆柱体、且其圆周侧面开设贯穿圆柱体两端面的切割角，所述切割角形状在圆柱体横截面方向上为从圆心至圆周侧面的扇形，切割角在圆柱体横截面方向上的开口角度为50°70°；每个缺陷介质纳米柱组内的四个缺陷介质纳~米柱等间距且呈矩形分布，相邻两个缺陷介质纳米柱之间的间距处于20 nm 40 nm范围内；

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所述每个缺陷介质纳米柱的切割角均朝向四个缺陷介质纳米柱矩形分布的中心，且相对朝向的两个切割角各自所在缺陷介质纳米柱的轴心连线均分两个切割角；所述缺陷介质纳米柱的高度为130 nm 140 nm、半径为230 nm 270 nm；

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所述基底为金属材质制成，当电磁波从分析物入射经过中间层及基底后，能在近红外波段产生四个吸收谐振峰；将超表面结构的两个垂直边分别设为x和y方向、超表面结构的高度方向为z方向建立坐标系；所述超表面结构在x和y方向上的周期长度均为1100 nm~

1200 nm；

所述红外传感器朝向基底，用于接收产生的吸收谐振峰，获取分析物的折射率。

2. 根据权利要求1 所述基于电磁多极子共振的超表面近红外折射率传感器，其特征在于，所述近红外波段是波长为1.3 2.0 μm的范围。

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3. 根据权利要求1 所述基于电磁多极子共振的超表面近红外折射率传感器，其特征在于，所述缺陷介质纳米柱由硅材质制成。

4. 根据权利要求1 所述基于电磁多极子共振的超表面近红外折射率传感器，其特征在于，所述基底由银材质制成。

5. 根据权利要求1 所述基于电磁多极子共振的超表面近红外折射率传感器，其特征在于，所述电磁波以垂直于超表面结构的方向入射。