1.基于微波负阻电路补偿技术的高分辨率气体传感器，其特征在于，包括无源谐振腔体和负阻电路（2），所述无源谐振腔体由第一介质基板（11）、第二介质基板（12）、第三介质基板（13）和第四介质基板（14）组成，所述第一介质基板（11）位于第二介质基板（12）的顶部，第二介质基板（12）位于第三介质基板（13）的顶部，第三介质基板（13）位于第四介质基板（14）的顶部，所述第一介质基板（11）中均匀开设有多个第一金属通孔（111），所述第二介质基板（12）中均匀开设有多个第二金属通孔（121），所述第三介质基板（13）中均匀开设有多个第三金属通孔（131），所述第四介质基板（14）中均匀开设有多个第四金属通孔（141）；

所述第一介质基板（11）的顶部蚀刻出第一共面波导馈电线（115）、第二共面波导馈电线（116）和第三共面波导馈电线（117），所述第一共面波导馈电线（115）和第二共面波导馈电线（116）均位于第一介质基板（11）的顶层，所述第三共面波导馈电线（117）位于第一介质基板（11）的另一端，所述第三共面波导馈电线（117）与负阻电路（2）连接；

所述第二介质基板（12）的顶部固定有第一矩形金属层（123），所述第二介质基板（12）的底部固定有第二介质基板底层金属（124），所述第三介质基板（13）的顶部固定有第三介质基板顶层金属（134），所述第三介质基板（13）的底部固定有第二矩形金属层（133）；

所述第二介质基板（12）的中心区域开设有矩形阵列的第五金属化通孔（122），所述第三介质基板（13）的中心区域开设有矩形阵列的第六金属化通孔（132），且第五金属化通孔（122）与第六金属化通孔（132）的大小与排列方式相同；

所述第五金属化通孔（122）的底部与第二介质基板底层金属（124）相连，所述第五金属化通孔（122）的顶部与第一矩形金属层（123）相连，形成上电容柱；

所述第二介质基板底层金属（124）靠近第三共面波导馈电线（117）的一侧蚀刻有第一矩形缝隙（125），且所述第一矩形缝隙（125）靠近第二金属通孔（121）；

所述第六金属化通孔（132）的顶部与第三介质基板顶层金属（134）相连，所述第六金属化通孔（132）的底部与第二矩形金属层（133）相连，形成下电容柱；

所述第三介质基板顶层金属（134）靠近第三共面波导馈电线（117）的一侧蚀刻有第二矩形缝隙（135），且所述第二矩形缝隙（135）靠近第三金属通孔（131），所述第二矩形缝隙（135）与第一矩形缝隙（125）尺寸相同；

所述第二介质基板（12）两侧的内部均蚀刻有第三未金属化通孔（127），所述第三介质基板（13）两侧的内部均蚀刻有第四未金属化通孔（137），所述第三未金属化通孔（127）和第四未金属化通孔（137）均形成金属栅孔，且第三未金属化通孔（127）形成的金属栅孔与第四未金属化通孔（137）形成的金属栅孔大小与排列方式一致。

2.根据权利要求1所述的基于微波负阻电路补偿技术的高分辨率气体传感器，其特征在于，所述第一介质基板（11）的底部开设有第一矩形阶梯槽，所述第一矩形阶梯槽由第一矩形槽（113）和第二矩形槽（114）组成，所述第一介质基板（11）的内部开设有第一未金属孔（112），所述第一未金属孔（112）的内侧与第一矩形槽（113）连接。

3.根据权利要求2所述的基于微波负阻电路补偿技术的高分辨率气体传感器，其特征在于，所述第四介质基板（14）的顶部开设有第二矩形阶梯槽，所述第二矩形阶梯槽由第三矩形槽（143）和第四矩形槽（144）组成，所述第四介质基板（14）的内部开设有第二未金属孔（142），所述第二未金属孔（142）的内侧与第三矩形槽（143）连接。

4.根据权利要求3所述的基于微波负阻电路补偿技术的高分辨率气体传感器，其特征在于，所述第一矩形槽（113）和第三矩形槽（143）为两个相同体积大小的空气填充层；

所述第二矩形槽（114）和第四矩形槽（144）为两个相同体积大小的敏感材料放置区。

5.根据权利要求4所述的基于微波负阻电路补偿技术的高分辨率气体传感器，其特征在于，所述第二矩形槽（114）、第四矩形槽（144）、第一矩形金属层（123）和第二矩形金属层（133）的长宽尺寸相等，所述第一矩形槽（113）、第二矩形槽（114）、第五金属化通孔（122）、第一矩形金属层（123）、第六金属化通孔（132）、第二矩形金属层（133）、第三矩形槽（143）、第四矩形槽（144）的中心位于一条竖直直线上。

6.根据权利要求1所述的基于微波负阻电路补偿技术的高分辨率气体传感器，其特征在于，所述第二介质基板（12）的内部且与第一共面波导馈电线（115）和第二共面波导馈电线（116）对应的位置均开设有第一矩形缺口（126），所述第三介质基板（13）的内部且与第一共面波导馈电线（115）和第二共面波导馈电线（116）对应的位置均开设有第二矩形缺口（136），所述第四介质基板（14）的内部且与第一共面波导馈电线（115）和第二共面波导馈电线（116）对应的位置均开设有第三矩形缺口（145）。