1.一种正渗透膜的膜污染表征方法，其特征在于，包括：获取阻抗分析仪采集的正渗透膜的阻抗数据；其中，所述阻抗数据是通过阻抗分析仪对预设电解池中的正渗透膜进行电化学阻抗分析得到的；

基于所述阻抗数据构建正渗透膜的等效电路模型，根据等效电路模型获取正渗透膜的电感数据；

建立所述电感数据的概率密度函数，根据所述电感数据的概率密度函数确定正渗透膜的污染程度；

所述等效电路模型包括所述预设电解池中电解液的等效电阻Rs、正渗透膜的等效电容C1、正渗透膜的等效电阻Rm、正渗透膜的电感L1以及电感的等效电阻R1；

其中，等效电阻Rs与等效电容C1串联，等效电容C1与等效电阻Rm并联，电感L1与等效电阻R1串联后共同并联在等效电阻Rm的两端；

所述根据等效电路模型获取正渗透膜的电感数据，包括：基于基尔霍夫电压定律建立等效电路模型的状态方程；

根据等效电路模型的状态方程得到正渗透膜的电感数据；

所述电感数据的概率密度函数的表达式为：

式中，L表示正渗透膜的电感数据，f（L）表示电感数据的概率密度函数；

根据所述电感数据的概率密度函数确定正渗透膜的污染程度，具体包括：获取电感数据的误差系数：

根据电感数据的概率密度函数，结合电感数据的误差系数，得到正渗透膜的污染程度表达式： ，其中，C表示正渗透膜的污染程度，B表示电感数据的误差系数。

2.根据权利要求1所述的正渗透膜的膜污染表征方法，其特征在于，所述等效电路的状态方程包括：式中，x1表示等效电容C1两端的电压，x2表示流经电感L1的电流， 表示等效电路系统电压， 为x1的一阶导数， 为x2的一阶导数。

3.一种正渗透膜的膜污染表征装置，其特征在于，包括：阻抗获取模块，用于获取阻抗分析仪采集的正渗透膜的阻抗数据；其中，所述阻抗数据是通过阻抗分析仪对预设电解池中的正渗透膜进行电化学阻抗分析得到的；

电感获取模块，用于基于所述阻抗数据构建正渗透膜的等效电路模型，根据等效电路模型获取正渗透膜的电感数据；

污染程度确定模块，用于建立所述电感数据的概率密度函数，根据所述电感数据的概率密度函数确定正渗透膜的污染程度；

所述等效电路模型包括所述预设电解池中电解液的等效电阻Rs、正渗透膜的等效电容C1、正渗透膜的等效电阻Rm、正渗透膜的电感L1以及电感的等效电阻R1；

其中，等效电阻Rs与等效电容C1串联，等效电容C1与等效电阻Rm并联，电感L1与等效电阻R1串联后共同并联在等效电阻Rm的两端；

所述根据等效电路模型获取正渗透膜的电感数据，包括：基于基尔霍夫电压定律建立等效电路模型的状态方程；

根据等效电路模型的状态方程得到正渗透膜的电感数据；

所述电感数据的概率密度函数的表达式为：

式中，L表示正渗透膜的电感数据，f（L）表示电感数据的概率密度函数；

根据所述电感数据的概率密度函数确定正渗透膜的污染程度，具体包括：获取电感数据的误差系数：

根据电感数据的概率密度函数，结合电感数据的误差系数，得到正渗透膜的污染程度表达式： ，其中，C表示正渗透膜的污染程度，B表示电感数据的误差系数。

4.一种电子设备，其特征在于，包括存储器和处理器，其中，所述存储器，用于存储程序；

所述处理器，与所述存储器耦合，用于执行所述存储器中存储的所述程序，以实现上述权利要求1至2中任意一项所述的一种正渗透膜的膜污染表征方法中的步骤。

5.一种计算机可读存储介质，其特征在于，用于存储计算机可读取的程序或指令，所述程序或指令被处理器执行时能够实现上述权利要求1至2中任意一项所述的一种正渗透膜的膜污染表征方法中的步骤。