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专利号: 2023233832060
申请人: 天津应大科讯电气设备有限公司
专利类型:实用新型
专利状态:已下证
更新日期:2026-09-30
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种基于SiC模块功率器件的功率单元,其特征在于,包括单元箱壳体(9)和叠层母排(7),所述单元箱壳体(9)一侧预留直流输入排(1),所述叠层母排(7)置于单元箱壳体(9)内,叠层母排(7)上设SIC MOSFET模块(6),且SIC MOSFET模块(6)的一端穿过单元箱壳体(9)上直流输入排(1)的相对侧,所述直流输入排(1)和SIC MOSFET模块(6)通过叠层母排(7)实现电气回路连通,所述叠层母排(7)上靠近直流输入排(1)设直流支撑电容(2);所述直流支撑电容(2)两侧均设SIC MOSFET驱动板(3),并且在靠近SIC MOSFET驱动板(3)的单元箱壳体(9)上分别装有驱动电源板(4);所述叠层母排(7)上均匀分布吸收电容(5)。

2.根据权利要求1所述的一种基于SiC模块功率器件的功率单元,其特征在于,所述单元箱壳体(9)内SIC MOSFET模块(6)之间设水冷散热器。

3.根据权利要求1所述的一种基于SiC模块功率器件的功率单元,其特征在于,所述单元箱壳体(9)上方设供电电源(14)以及风机(11),风机(11)置于供电电源(14)周边,其间附着有高导热绝缘材料。

4.根据权利要求1或2任意一项所述的一种基于SiC模块功率器件的功率单元,其特征在于,所述单元箱壳体(9)上方靠近直流输入排(1)一侧中间设风机保护板(12),所述风机保护板(12)两侧设接线端子(13)。

5.根据权利要求1所述的一种基于SiC模块功率器件的功率单元,其特征在于,所述吸收电容(5)为8个,所述SIC MOSFET模块(6)为2个。

6.根据权利要求1所述的一种基于SiC模块功率器件的功率单元,其特征在于,所述单元箱壳体(9)一侧SIC MOSFET模块(6)下方设水路接口(10)。