1.一种PVT法碳化硅单晶生长装置，包括用于PVT法碳化硅单晶生长的PVT炉体(100)以及废物处理箱(200)，所述PVT炉体(100)左侧下方安装有废物处理箱(200)，其特征在于：所述废物处理箱(200)上方设有废物入口(400)；

所述废物处理箱(200)内部上方设置有两个转轴(800)，两个所述转轴(800)外侧安装有转动辊(500)，每个所述转动辊(500)外侧均安装有多组粉碎齿(600)，所述废物处理箱(200)左侧面上方安装有两个驱动电机(700)；

所述废物处理箱(200)内部下方设置有收集转运箱(120)，所述废物处理箱(200)左侧面下方开设有出入口，所述废物处理箱(200)右侧面安装有两个磁吸片(170)，所述废物处理箱(200)内部右侧下方开设有两个对接槽(150)，两个所述对接槽(150)内部右侧分别安装有一个磁吸片(170)，所述收集转运箱(120)下方安装有四个转运轮(140)。

2.如权利要求1所述的一种PVT法碳化硅单晶生长装置，其特征在于：所述收集转运箱(120)左侧面中间安装有把手(130)，两个所述驱动电机(700)分别通过传动轴与两个转轴(800)左端连接。

3.如权利要求2所述的一种PVT法碳化硅单晶生长装置，其特征在于：所述废物处理箱(200)内部右侧上方安装有两个转动轴承(900)，两个所述转轴(800)右端分别与两个转动轴承(900)内侧连接。

4.如权利要求3所述的一种PVT法碳化硅单晶生长装置，其特征在于：两个所述驱动电机(700)呈相反方向转动，两个转动辊(500)处的多组粉碎齿(600)相互啮合。

5.如权利要求4所述的一种PVT法碳化硅单晶生长装置，其特征在于：所述废物处理箱(200)正面中间安装有观察窗(300)，所述观察窗(300)为一种透明钢化玻璃。

6.如权利要求5所述的一种PVT法碳化硅单晶生长装置，其特征在于：所述废物处理箱(200)内部左右两侧中间分别安装有一个滑料板(110)，两个所述滑料板(110)正视面均为一种直角三角形状，且呈镜像安装。

7.如权利要求1所述的一种PVT法碳化硅单晶生长装置，其特征在于：两个所述磁吸片(170)的材质均为一种铁氧体磁铁，两个所述磁吸片(170)分别嵌入两个对接槽(150)内磁力吸附两个固定铁片(160)，所述PVT炉体(100)主要由石墨舟、气氛控制组件、加热组件、高真空系统、温度监测器和真空度检测器构成。