1.一种改善无铜区流胶不均的厚铜电路板结构，其特征在于，包括：第一铜箔(10)、第一厚铜芯板(20)、第二厚铜芯板(30)、第二铜箔(40)、第一粘接层(50)、第二粘接层(60)以及第三粘接层(70)，所述第一厚铜芯板(20)和所述第二厚铜芯板(30)的结构相同；

所述第一粘接层(50)设置在所述第一铜箔(10)和所述第一厚铜芯板(20)之间，所述第二粘接层(60)设置在所述第一厚铜芯板(20)和所述第二厚铜芯板(30)之间，所述第三粘接层(70)设置在所述第二厚铜芯板(30)和所述第二铜箔(40)之间；

所述第一厚铜芯板(20)包括第一基板(202)以及设置于所述第一基板(202)相对两侧的第一厚铜层(201)和第二厚铜层(203)，所述第一厚铜层(201)和所述第二厚铜层(203)均由导电图形覆盖的有铜区以及除有铜区外的无铜区构成，且所述第一厚铜层(201)和所述第二厚铜层(203)的周边设置有板边区(2011)和废料区(2013)，所述板边区(2011)上铺设有实铜并开设有线性导流槽(2012)，所述废料区(2013)上铺设有铜豆(2014)。

2.根据权利要求1所述的改善无铜区流胶不均的厚铜电路板结构，其特征在于，所述导流槽(2012)的宽度≥1.0mm。

3.根据权利要求1所述的改善无铜区流胶不均的厚铜电路板结构，其特征在于，所述铜豆(2014)的直径为1‑2mm，且相邻两个所述铜豆(2014)之间呈间隔设置。

4.根据权利要求1所述的改善无铜区流胶不均的厚铜电路板结构，其特征在于，所述第一铜箔(10)、所述第一粘接层(50)、所述第一厚铜芯板(20)、所述第二粘接层(60)、所述第二厚铜芯板(30)、所述第三粘接层(70)以及所述第二铜箔(40)沿预设方向设置有通孔(11)，所述通孔(11)的数量≥1。

5.根据权利要求1所述的改善无铜区流胶不均的厚铜电路板结构，其特征在于，所述第一铜箔(10)与所述第一厚铜芯板(20)之间和所述第二铜箔(40)与所述第二厚铜芯板(30)之间均设置有盲孔(12)；所述第一厚铜芯板(20)和所述第二厚铜芯板(30)之间设置有埋孔(13)；

所述盲孔(12)和所述埋孔(13)的孔壁均设置有金属导通层，所述金属导通层的厚度不小于15μm。

6.根据权利要求1所述的改善无铜区流胶不均的厚铜电路板结构，其特征在于，所述第一粘接层(50)、第二粘接层(60)以及第三粘接层(70)均为半固化片。

7.根据权利要求1或4所述的改善无铜区流胶不均的厚铜电路板结构，其特征在于，所述第一粘接层(50)包括两层半固化片，其中，半固化片的材料为PP106。

8.根据权利要求1或4所述的改善无铜区流胶不均的厚铜电路板结构，其特征在于，所述第二粘接层(60)包括三层半固化片，其中，一层半固化片的材料为PP1080，另外两层半固化片的材料为PP106。

9.根据权利要求1或4所述的改善无铜区流胶不均的厚铜电路板结构，其特征在于，所述第三粘接层(70)包括两层半固化片，其中，一层半固化片的材料为PP106，另一层半固化片的材料为PP1080。

10.根据权利要求1所述的改善无铜区流胶不均的厚铜电路板结构，其特征在于，所述第一铜箔(10)和所述第二铜箔(40)的厚度均为3oz的THE铜箔；所述第一基板(202)的厚度为0.05‑0.1㎜，所述第一厚铜层(201)和所述第二厚铜层(203)的总厚度为6oz。