1.带有过载保护的DC‑DC变换器用自关断电路，其特征在于：包括自关断模块、转换模块和防过载模块，所述防过载模块包括稳压单元和保护单元，所述自关断模块连接所述转换模块，所述转换模块连接所述稳压单元，所述稳压单元连接所述保护单元，其中，所述自关断模块用于连接市电并为所述转换模块供电，所述转换模块用于转换输入的电源电压并将其通过所述稳压单元、所述保护单元输出，所述稳压单元用于稳定输出电源的电压，所述保护单元用于保护电路。

2.根据权利要求1所述的带有过载保护的DC‑DC变换器用自关断电路，其特征在于：所述自关断模块包括芯片IC1以及变压器T1，其中，所述变压器T1主绕组一端接220V，所述变压器T1主绕组另一端接开关S1和触点K1，所述开关S1与所述触点K1并联；

所述变压器T1副绕组一端接电容C1、C2、C3、电阻R1、继电器K、二极管VD3并接所述芯片IC1的3脚，所述变压器T1副绕组另一端接所述电容C1另一端、所述电阻R1另一端、晶体管VT1发射极、电位器Rp并接Vo端后接地；

所述芯片IC1的1脚接电阻R3、二极管VD2并接晶体管VT2的集电极，所述二极管VD2接二极管VD1，所述二极管VD1接电阻R4并接Vo端，所述电阻R4接所述晶体管VT2基极，所述晶体管VT2发射极接所述电阻R2并接所述电容C2另一端，所述电阻R2接所述晶体管VT1基极，所述晶体管VT1集电极接所述继电器K另一端并接所述二极管VD3另一端；

所述芯片IC1的2脚接所述电阻R3另一端、所述电容C3另一端并接所述电位器Rp另一端。

3.根据权利要求2所述的带有过载保护的DC‑DC变换器用自关断电路，其特征在于：所述自关断模块还包括发光二极管LED1，所述发光二极管LED1一端接所述变压器T1副绕组一端，所述发光二极管LED1另一端接所述电阻R1。

4.根据权利要求1所述的带有过载保护的DC‑DC变换器用自关断电路，其特征在于：所述转换模块包括芯片U1，其中，所述芯片U1的VIN脚接电容C11、C12、二极管VD4、场效应管V1并接Vo端，电容C11、C12均接地；

所述芯片U1的PGATE脚接电容C13并接所述二极管VD4另一端、所述场效应管V1，所述场效应管V1另一端接电感L1、场效应管V2并接二极管VD5；

所述芯片U1的Vcc脚接电容C14、C15、C16，所述电容C14、C14均接地；

所述芯片U1的CAP脚接所述电容C16另一端，所述芯片U1的PDRIVE脚接所述电容C13另一端；

所述芯片U1的ITH脚接电阻R11，所述电阻R11接电容C17，所述芯片U1的CT脚接电容C18，所述芯片U1的SGND脚接所述电容C17另一端、所述电容C18另一端并接地；

所述芯片U1的SD1脚、SD2脚、PGND脚、RGND脚接地；

所述芯片U1的SENSE+脚接电容C19、电阻R12并接所述电感L1另一端；

所述芯片U1的SENSE‑脚接所述电容C19另一端、所述电容C20、所述电阻R12另一端并接Vout端，所述电容C20接地；

所述芯片U1的NOATE脚接所述场效应管V2，所述场效应管V2另一端接所述二极管VD5另一端并接地。

5.根据权利要求1所述的带有过载保护的DC‑DC变换器用自关断电路，其特征在于：所述稳压单元包括放大器，其中，所述放大器接电阻Rr并接晶体管VT3，所述电阻Rr接Vr端，所述晶体管VT3一端接Vout端，所述晶体管VT3另一端接所述放大器负极端并接电阻Rs，所述电阻Rs接电容Cr，所述电容Cr接所述放大器正极端。

6.根据权利要求5所述的带有过载保护的DC‑DC变换器用自关断电路，其特征在于：所述保护单元包括继电器J1，其中，所述继电器J1一端接电阻R21、电容C21、二极管VD6并接输出端，所述电阻R21接所述电容C21另一端并接所述电阻Rs另一端；

所述继电器J1另一端接发光二极管LED2、所述二极管VD6另一端并接输出端，所述发光二极管LED2接电阻R22。