1.一种新型的防接反高压输入保护集成电路，包括分压电路、电阻R3、电阻R4、电容C1、电容C2、三极管Q1、场效应管Q2和场效应管Q3，其特征在于：所述分压电路包括电阻R1和电阻R2，所述R1一端分别与所述R2一端和所述场效应管Q1的基极电连接，所述电阻R2另一端与直流电源的DC‑电连接，所述电阻R1的另一端与电阻R3和电阻R4的另一端DC+电连接；

所述三极管Q1的基极与所述分压电路连接，所述三极管Q1的集电极分别与所述电阻R3一端、电容C1一端和场效应管Q2的栅极连接；

所述电阻R3的另一端分别与分压电路、电阻R4的一端、直流电源DC+、VCC连接；

所述场效应管Q2和所述场效应管Q3的漏极电连接；

所述电阻R4另一端、电容C2一端、场效应管Q3的栅极电连接；

所述三极管Q1的发射极、电阻R2的另一端、电容C1的另一端和所述场效应管Q2的源极均接直流电源DC‑,所述电容C2另一端、场效应管Q3的源极接地。

2.根据权利要求1所述的一种新型的防接反高压输入保护集成电路，其特征在于：所述场效应管Q2和所述场效应管Q3为N型MOS管。